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介绍了一种新型多晶硅还原炉加热电源的工作原理、系统构成和实验结果。该型加热电源采用相控整流和高频逆变技术。根据多晶硅硅棒在生长过程中的伏安特性,设计了与工频加热电源交互的控制逻辑以及逆变电流控制方法。通过实验验证了硅棒中交变电流的趋肤效应在多晶硅硅棒加热过程中的作用,并对比了工频加热电流与高频加热电流的幅值差异。实验表明,该型多晶硅还原炉高频加热电源在节电率、单炉生产时间和产出硅棒直径上,均比传统的工频加热电源有较大提升。 相似文献
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首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响 相似文献
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T. J. Pease S. N. Ekkanath-Madathil S. C. Bayliss 《Journal of Electronic Materials》2000,29(8):1033-1037
Polycrystalline silicon deposited on insulating substrates has been chemically-etched to form thin films of porous material
exhibiting room temperature visible photoluminescence with emission wavelengths of around 650 nm. Material of 4000 ? thickness
was quickly converted to porous silicon within 15 s of etching, with an etch rate of 1–1.5 μm/h. In contrast to anodization,
chemical-etching parameters have little effect on modulating the resultant peak wavelength. Peak photoluminescence intensity
was achieved 8–12 s of etching in 1:3:5 parts HF:HNO3:H2O at room temperature with ambient lighting. The chemical etching process and its etch characteristics have been discussed
in relation to its suitability for large area thin film devices. 相似文献
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多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制 总被引:1,自引:1,他引:0
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度 ,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻 .沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接 .该交叠区使得在较高偏置时 ,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散 ,导致电场峰值显著降低 .模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规 TFT的一半 .实验结果表明该 TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压 .而且 ,与常规器件相比 ,该 TFT的通态电流增加了两倍 ,而最小关态电流减少了3.5倍 . 相似文献
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