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41.
单晶及多晶硅切割废料中的高纯硅回收
总被引:1,自引:0,他引:1
郭菁
邢鹏飞
涂赣峰
祁阳
《材料科学与工艺》
2011,19(4):103-106,111
为提高在切割废料中高纯硅的回收率,对沉降方法和条件进行了优化.根据单/多晶硅切割废料浆的物理、化学性质,在m(水)∶m(聚乙二醇)=(8~9)∶1、含有少量无机盐的水溶液体系中,在不同沉降时间和不同固液配比的条件下进行正交试验,通过盐酸、氢氟酸进行除杂,最后在1 500~1 600℃下进行硅的铸锭.通过X射线衍射、元素...
相似文献
42.
一种确定多晶硅薄膜禁带中态密度的数值积分方法
江南
《电子器件》
1999,22(1):28-30
本文提出了一种数值积分方法,通过这种方法结合热激发场效应电导法可以推导薄膜晶体管的多晶硅材料禁带中的态密度,根据这种方法。我们研究了氢等离子本处理对多 硅薄膜晶体管木材禁态密度的影响。
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