高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性研究

为研究高重频皮秒脉冲激光对多晶硅的损伤特性,用不同重复频率的皮秒脉冲激光辐照多晶硅,用扫描电子显微镜对激光辐照后多晶硅的损伤形貌进行检测。探究了高重频皮秒脉冲激光与多晶硅相互作用的机理,得到了不同辐照时间和重频的皮秒激光对多晶硅的损伤规律。研究表明:多晶硅的损伤阈值随着皮秒激光重频的增加逐渐降低,当激光重频大于5k Hz时,多晶硅的损伤阈值达到一个"饱和"值,损伤阈值几乎不再随着重频的增加而发生变化。研究结果对低脉冲能量高重复频率激光加工具有借鉴意义。     

半导体高温压力传感器的静电键合技术

分析了硅－玻璃静电键合机制，讨论了键合强度与玻璃表面、温度、键合电压的关系；通过缓慢降温等措施减小了键合后的残余应力。针对多晶硅高温压力传感器设计研制了一套装置，给出了其工作机制和键合电流－时间（I-t)关系。经大批量键合封接实验，键合的成品率达到95％以上，有效提高了多晶硅高温压力传感器的可靠性。     

一种简单的表面加工多晶硅薄膜热扩散率在线测试结构

本文提出了一种表面加工多晶硅薄膜的在线测试结构.模型综合考虑了辐射、对流以及向衬底的传热等因素的影响,通过分析两个长度不同但宽度与厚度相同的梁在相同加热电流下的瞬态电阻变化特性,来提取多晶硅薄膜的热扩散系数.用ANSYS软件验证了该模型的正确性,通过实验测得表面加工多晶硅薄膜的热扩散率为1.059×10^-5±3×10^-6m²/s.     

多晶硅生产中的氢气平衡分析及优化

从氢气的制备技术出发,分析甲醇制氢、煤制氢、天然气制氢、水电解制氢等氢气制备技术的优缺点及多晶硅生产工艺中的氢气消耗工序,并根据某多晶硅工厂实际生产数据,分析多晶硅生产过程中的氢气产出和消耗情况,最后针对氢化系统停车泄压、还原系统启停炉、公用辅助系统泄露等氢气消耗较大的环节提出优化建议,从而有效降低多晶硅生产成本.     

膜分离技术在含HCl体系中的应用研究进展

综述了膜分离技术在含HCl溶液体系和含HCl气体体系中的应用,探讨了膜分离技术在多晶硅制备和有机硅制备中的应用前景。     

半绝缘多晶硅SIPOS工艺与应用

反向击穿电压较高的半导体器件,一般采用台面玻璃钝化工艺,但这种工艺有不少弊端。因此人们一直努力使高耐压半导体器件工艺平面化,而在这当中表面钝化工艺的选择与应用是个关键。半绝缘多晶硅(SIPOS)的开发几乎与高压平面器件工艺的研究同步。但是由于SIPOS工艺具有一定的难度,普遍应用尚有待时日。文章简要介绍了我们在SIPOS工艺试验与应用方面所做的一些工作。     

微磨料水射流对多晶硅切割的试验研究与模型分析

笔者根据材料冲蚀磨损原理,分析探讨了微磨料水射流切割多晶硅硅锭的机理。并运用后混合微磨料射流切割装置,对多晶硅硅锭进行了单因素切割试验,从而获得了切割性能曲线。研究结果表明,微磨料水射流对多晶硅的切割完全可行,射流压力和横移速度是重要的试验数据。通过对高压磨料水射流切割性能的预测和加工参数的优化,最终建立切割表面质量经验模型,根据模型分析得出射流压力、横移速度与切割质量之间的关系。     

改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展

在日益激烈的国际竞争环境下，传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术；其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程，对改良西门子法多晶厂商更具参考意义。     

多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计

针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏,增加晶体管的开关电流比值,通过模拟轻掺杂区不同的物理参数,如掺杂浓度及掺杂区宽度等,研究薄膜晶体管的开关电流比值,由此确定像素各部分的尺寸,对液晶显示器件进行优化设计。     

多晶硅微悬臂梁断裂失效强度的尺寸效应

为了了解构件尺寸的微型化给材料的强度和弹性模量带来的影响,利用纳米硬度计通过微悬臂梁的弯曲实验来测量其力学特性.该方法可精确测量微悬臂梁纳米级弯曲形变,但必须考虑压头在微悬臂梁上的压入及微悬臂沿宽度方向的挠曲.试验研究表明,多晶硅微悬臂梁的平均弹性模量为156GPa±(4.52～9.83)GPa,其失效断裂强度表现出对构件有效体积和表面积的尺寸效应.由实验测得的失效强度得到KC=1.62MPa*m1/2,计算出的缺陷尺寸a为58～117nm.