酸腐蚀多晶硅表面的光反射率计算

分析了现有酸腐蚀多晶硅表面光反射率计算模型中存在的基本问题,提出了更符合酸腐蚀多晶硅表面形貌特征的光反射率计算模型,并就波长为550hm的单色光垂直照射下的光反射率随表面凹坑深度与球体半径比值H_(max)/R的变化进行了系统计算.结果表明,当H_(max)/R在0～0.29之间时是完全一次反射区,R_(total)是一恒定值.随着H_(max)/R增加,反射次数增多,反射率下降.当H_(max)/R=1时,也就是凹坑深度刚好为球半径时,反射率最低.     

复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析

多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究.基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系.结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力.从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持.     

多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大.对发生Kink效应的物理机制、二雏数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望.     

多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构

提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证.分析表明模拟结果和理论结果基本一致,从而验证了该模型. 该方法能够实现多晶硅薄膜热膨胀系数的在线提取,测量方便,独立性较高,以电学量形式输出,对于薄膜热膨胀系数的在线检测有一定参考价值.     

熔盐电脱氧制多晶硅过程电流效率的影响因素

电流效率是熔盐直接电解脱氧制备多晶硅的一项重要指标,它涉及到电解槽的产量和电耗.如何提高熔盐电解的电流效率对多晶硅的单位时间产量、降低单位电耗等具有重要意义.采用CaCl2为电解质、SiO2粉末压制片为阴极及自制石墨棒为阳极进行了实验研究.在具体实验中测定了制备多晶硅过程中电流效率随电解时间、温度、电流密度及电极间距的变化关系.结果表明,当电解时间为6～10h、电解温度为800～900℃、电流密度为0.78～1.20A/cm2、电极间距为4～7cm时,电解效率较高.     

激光损伤非制冷微测辐射热计的实验研究

在市场需求驱动下,非制冷红外测辐射热计阵列在多个领域正逐步应用,对其激光干扰的研究也被提上了日程.本文以多晶硅探测器为例,结合非制冷微测辐射热计阵列的构造和工作原理,分析了激光辐照作用下的温度响应;通过10.6?m连续激光的辐照实验,得到了像元阵列进入不同损伤状态对应的激光功率范围,分析了激光损伤的热效应机制,指出干扰...     

碱液环境下电化学腐蚀多晶硅的研究

主要介绍了在NaOH溶液中,利用电化学技术腐蚀制备多晶硅绒面的新方法。实验中,通过改变腐蚀液浓度、腐蚀电压、腐蚀温度等因素,制得一系列多晶硅绒面。实验结果表明,当腐蚀碱液浓度为20%,腐蚀电压为20V,腐蚀温度为25℃时,腐蚀得到的硅片表面比较均匀,在波长400～800nm范围内,测量得表面反射率最低为19%左右。     

热环境对微机械多晶硅薄膜电阻电特性的影响

将 CMOS工艺和微机械加工技术相结合 ,制作出悬空式微桥支撑、薄膜支撑以及无悬空结构的微机械多晶硅薄膜电阻。通过对样品的电阻温度系数 ( TCR)和电流 ( I) -电压 ( V)特性的测量 ,研究了热隔离程度、工作气压等热环境对多晶硅薄膜电阻电学特性的影响程度     

硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.     

聚硅纳米材料增注效果研究

聚硅纳米材料用于低渗油藏增注是油田开发中的一项前沿技术,本研究分析了聚硅纳米材料的增注机理,室内考察了多批聚硅纳米材料的增注效果,并研究了影响聚硅纳米材料润湿性的主要因素。结果表明,聚硅纳米材料对提高岩心渗透率具有明显效果,首批样品提高水相渗透率达25％-66％;聚硅纳米材料能有效改变岩心的润湿性,使其从亲水变为亲油,从而降低水相流动阻力,起到降压增注作用;聚硅纳米材料适宜注入量为3．0PV,建议现场关井时间大于40h;聚硅纳米材料处理后转注石油磺酸盐表面活性剂,可进一步改善地层渗流能力,其渗透率提高幅度为11％。