Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀

在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的,多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后,简单介绍我们工艺开发的第一批结果。     

酸腐蚀多晶硅表面的光反射率计算

分析了现有酸腐蚀多晶硅表面光反射率计算模型中存在的基本问题,提出了更符合酸腐蚀多晶硅表面形貌特征的光反射率计算模型,并就波长为550hm的单色光垂直照射下的光反射率随表面凹坑深度与球体半径比值H_(max)/R的变化进行了系统计算.结果表明,当H_(max)/R在0～0.29之间时是完全一次反射区,R_(total)是一恒定值.随着H_(max)/R增加,反射次数增多,反射率下降.当H_(max)/R=1时,也就是凹坑深度刚好为球半径时,反射率最低.     

聚硅纳米材料增注效果研究

聚硅纳米材料用于低渗油藏增注是油田开发中的一项前沿技术,本研究分析了聚硅纳米材料的增注机理,室内考察了多批聚硅纳米材料的增注效果,并研究了影响聚硅纳米材料润湿性的主要因素。结果表明,聚硅纳米材料对提高岩心渗透率具有明显效果,首批样品提高水相渗透率达25％-66％;聚硅纳米材料能有效改变岩心的润湿性,使其从亲水变为亲油,从而降低水相流动阻力,起到降压增注作用;聚硅纳米材料适宜注入量为3．0PV,建议现场关井时间大于40h;聚硅纳米材料处理后转注石油磺酸盐表面活性剂,可进一步改善地层渗流能力,其渗透率提高幅度为11％。     

适用于水平预探井的聚硅氟钻井液

预探水平5井用膨润土浆一开；二开使用聚合物钻井液，配方为：0．3％HFB401 0．3％NPAN 1．0％HFT 201 1．5％HRTl0l 4．0％HFB10l 0．5％抗盐降滤失剂 0．3％固体润滑剂 0．4％液体降粘剂；三开使用聚硅氟钻井液，利用聚合醇和硅氟的双重抑制性，解决了该井水平段二叠系含碳质、煤质泥岩地层的垮塌问题，并通过加液体极压润滑剂HFB10l，配合少量固体润滑剂，以接近水平生产井混油钻井液的成本完成施工．其配方为：2．0％GFWJ 1．5％GFXJ 2．5%HRT10l 3．0％HFT201 0．2％HFX10l 3．0％HFBl0l 2％聚合醇 0．3％固体润滑剂。实践表明：聚硅氟钻井液润滑性能好，净化能力高。能够适应水平5井的地层特点．较好她满足了各项施工需要．     

Tunnelling piezoresistive effect of grain boundary in polysilicon nano-films

The experiment results indicate that the gauge factor of highly boron doped polysilicon nanofilm is bigger than that of monocrystalline silicon with the same doping concentration, and increases with the grain size decreasing.To apply the unique properties reasonably in the fabrication of piezoresistive devices, it was expounded based on the analysis of energy band structure that the properties were caused by the tunnel current which varies with the strain change forming a tunnelling piezoresistive effect. Finally, a calculation method of piezoresistance coefficients around grain boundaries was presented, and then the experiment results of polysilicon nanofilms were explained theoretically.     

CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响

采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响.研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,多晶硅层间击穿电压仅20 V,器件在可靠性试验后容易因多晶硅层间击穿而失效.采用LPCVD淀积二氧化硅技术消除了多晶硅台阶侧壁氧化层薄弱区,其层间击穿电压大于129 V,明显改善了器件可靠性.     

多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件的优化设计

针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏,增加晶体管的开关电流比值,通过模拟轻掺杂区不同的物理参数,如掺杂浓度及掺杂区宽度等,研究薄膜晶体管的开关电流比值,由此确定像素各部分的尺寸,对液晶显示器件进行优化设计。     

多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构

提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证.分析表明模拟结果和理论结果基本一致,从而验证了该模型. 该方法能够实现多晶硅薄膜热膨胀系数的在线提取,测量方便,独立性较高,以电学量形式输出,对于薄膜热膨胀系数的在线检测有一定参考价值.     

半导体桥的设计分析

半导体桥是半导体桥火工品中最为关键的元件,它的结构和性质对火工品起着十分重要的作用,设计结构合理、性能优良的半导体桥是研究半导体桥火工品首要任务.文章以理论分析和文献分析为基础并结合试验数据,提供了一套半导体桥的设计方法,并选定了合理的结构和材料,给出了一组参数,确定了最小临界能的半导体桥图形.     

多晶硅真空电磁感应熔炼除磷及其过程研制

磷是多晶硅中的主要杂质元素之一,目前采用的酸洗以及定向凝固工艺无法将其含量降低到太阳能级多晶硅所要求的范围之内。采用自行设计的真空电磁感应熔炼炉及定向凝固炉研究了真空度、精炼时间和精炼温度对除磷效果的影响。研究结果表明当炉内压强为5.0×10-1 Pa时,精炼温度和时间分别为1723K和60min时,精炼后硅中磷含量由原来的2.0×10-5（质量分数）降低到1.8×10-6（质量分数）;研究推导出了在压强为5×10-1Pa下磷的含量随精炼时间和精炼温度的关系式如下：XP=X0Pexp[（-1.43×10-4-3.1×10-7T）t]同时还对真空感应熔炼除磷过程进行了热力学与动力学分析。