提高多晶电阻工艺稳定性

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。     

流化床反应器制备太阳能级颗粒多晶硅技术研究

采用流化床反应技术,以H2还原SiHCl3的方法制备太阳能级多晶硅。在直径50 mm的流化床反应器中,加入多晶硅颗粒作为初始晶种,通入SiHCl3和H2气体使颗粒处于流态化状态;高温下,反应生成的多晶硅在晶种表面沉积令颗粒逐渐长大而获得颗粒多晶硅。实验考察了流化床反应状态下的硅还原率和硅沉积速率及其影响因素,分别在950～1100℃,H2/SiHCl3摩尔配比为15,20,30及晶种粒径为350,550μm的条件范围内进行实验。当加入晶种粒径为550μm时,在1100℃条件下,H2/SiHCl3摩尔配比从15%增加到30%,硅还原率从14.2%提高到21.6%;当H2/SiHCl3摩尔配比为20时,温度从950℃提高到1100℃,硅还原率从14.9%提高到19.4%。在1100℃,H2/Si-HCl3摩尔配比为30的条件下,当加入晶种粒径为350μm时,测得硅还原率为25.7%,硅沉积速率为21.3 g.h-1;而晶种粒径为550μm时,硅还原率为22.9%,硅沉积速率为18.0 g.h-1。实验结果表明:提高H2/SiHCl3摩尔配比、提高温度和减少晶种粒径均可显著提高硅还原率和沉积速率,适宜的工艺条件为1050～1100℃,H2/SiHCl3(摩尔比)20～30;晶种颗粒粒径和流化床气流速度是流化床反应过程主要的动力学因素。在西门子法中应用流化床技术将能显著提高硅的还原率和沉积速率,是制备太阳能级多晶硅的可行技术。     

晶体硅切割料浆中回收高纯硅的研究

单晶硅和太阳能电池多晶硅都需要将硅锭用金属丝和碳化硅粉研磨切割成硅片,在切割过程中有约43%的硅被研磨成粉末进入切割料浆中,如果能将这部分Si回收利用,意义很大。本文对晶体硅切割料浆中Si的回收方法进行了实验研究,提出了水中沉降分离Si和在Zn金属或Zn-Mg合金熔体中偏析提纯Si生产太阳能级多晶硅的方法。     

冶金方法在太阳能级多晶硅制造中的应用

多晶硅作为太阳能转换电能的基础材料,近年来受到广泛关注.本文综述了生产多晶硅的各种冶金方法,主要分析各种冶金方法的特点、发展趋势和可行性,并重点讨论了低成本生产太阳能级多晶硅的方法.     

多晶硅生产废气回收处理工艺研究进展

阐述了多晶硅生产废气主要来源、组分、处理工艺及研究进展,提出了生产高品质多晶硅可选择的废气处理工艺。     

多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究

文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构总剂量辐照能力增强是由于该结构EB之间存在多晶+薄氧化层的结构,该结构中多晶屏蔽了顶部厚氧化层辐照效应的影响,而普通结构EB之间则是厚氧化层结构,总剂量辐照能力弱。在对多晶发射极结构总剂量辐照关键部位的分析过程中,对多晶发射极三极管局部结构进行了进一步优化设计,最后给出了多晶发射极结构三极管的辐照实验结果,并对实验结果进行了分析。     

表面加工多晶硅薄膜热扩散系数在线测试结构

基于目前已有的真空桥式薄膜热扩散系数测试结构和测试方法，综合考虑辐射、对流以及向衬底的传热等因素的影响，从而使得本文设计的测试结构和提取方法更具有实际价值。文中通过分析两个长度不同，但宽度与厚度相同的梁在相同加热电流下的瞬态电阻变化特性，来提取多晶硅薄膜的热扩散系数。同时利用有限元分析软件ANSYS进行了模拟分析，分析表明模拟提取值与理论值较好地吻合，从而验证了模型建立的正确性，说明该方法能够实现对多晶硅薄膜热扩散系数的在线提取，且具有较高的测试精确度。     

Improved de-embedding technique for polysilicon resistor modelling

In this article, accurate de-embedding technique based on transmission line theory is presented and applied to on-wafer polysilicon resistors fabricated in 130-nm SiGe technologies. Compared with the conventional de-embedding methods, not only the top metal layer, but also the under-layer metal parasitics are removed from the on-wafer passives. A systematic method relying exclusively on embedded S-parameters is used for the direct extraction of device circuit elements. This extracted method is characterised by its simplicity and ease of implementation. The proposed de-embedding technique and extraction approach are validated by polysilicon resistors with occupying areas of 20?×?2?µm². Good agreement between the measured and modelled data is obtained from 100?MHz up to 20.1?GHz.     

无氯技术制备高纯多晶硅工艺浅析简

本文针对无氯技术制备高纯多晶硅工艺路线的工艺、工艺步骤进行具体化描述、配合各个参数进行分析论述,指出了无氯技术制备高纯多晶硅技术瓶颈.无氯技术制备高纯多晶硅工艺是针对目前多晶硅行业工艺技术的要求：材料的氯离子防腐蚀、氯硅烷物质理化性能、高耗能、高污染等因素提出一条全新的工艺路线,无氯制备高纯多晶硅技术不仅解决了工艺系统内部氯离子对金属材料的腐蚀,而且减少了氯离子对环境的危害.     

表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的工艺研究

本文对表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的关键工艺进行了研究。研究了表面微机械工艺，探索了合适的工艺规范。对如何在表面微机械结构上采用Ｓ枪磁控反应溅射生长出ｃ轴定向的ＺｎＯ薄膜工艺进行了研究。