多晶硅制备工艺及发展趋势

简述了国内外多晶硅生产工艺的发展和现状,对比分析了各种多晶硅制备方法在产能、能耗及环境友好特性等方面的特点及其发展趋势。提出目前多晶硅制备技术主要有3个发展方向：①不断改进西门子工艺,包括尾气分离,四氯化硅氢化制备三氯氢硅,改进还原炉结构,加大炉体直径以提高产量、降低成本,三氯氢硅及氢气的纯化;②不断完善流态化技术方法,包括降低反应器内壁面上的硅沉积、减少无定形硅粉的形成、硅烷制备技术的改善;③不断完善冶金法工艺体系,包括提高产品纯度、减少杂质含量的波动性。     

冷氢化工艺中四氯化硅汽化方式的比较

对多晶硅生产中的冷氢化工艺做了简单介绍,重点介绍了冷氢化工艺中四氯化硅的4种汽化方式,包括电加热汽化、导热油汽化、直接混合汽化和强制混合汽化,并对这4种汽化方式的优缺点进行了比较,为多晶硅生产工厂和多晶硅工艺设计提供参考。     

三氯氢硅合成尾气回收方法探讨

探讨三氯氢硅合成尾气回收方法,降低三氯氢硅生产成本,利于环境保护。     

多晶硅还原尾气中再生氢气的回收利用

针对多晶硅还原尾气干法回收过程中吸附塔再生氢气的排废所带来氢气浪费、废气处理成本高、污染物排放量大等问题,采用变温、变压吸附工艺将再生氢气净化后回收利用。通过对净化后产品的组分和成本分析,总结出再生氢气回收利用给多晶硅生产带来巨大的经济和环境效益。     

西门子工艺制备多晶硅体系的热力学分析

利用吉布斯自由能理论对西门子体系进行了热力学分析,梳理了体系中可能发生的系列化学反应。结果表明,多晶硅生产主反应为裂解反应而非还原,SiHCl3裂解生成SiCl2(g)和HCl(g),进而生成Si和SiCl4(g)。这不仅合理地解释了实际生产中副产大量四氯化硅等问题,而且为优化还原工艺提供了有价值的科学依据。     

硅烷法制多晶硅生产过程的火灾危险性分析

介绍硅烷法制多晶硅的生产工艺及生产过程,分析生产过程中的主要危险品的理化性质。从厂区布局、电气设备、报警系统、灭火系统等方面提出硅烷法制多晶硅生产过程中应注意的消防安全技术措施。     

低渗透油藏储层表面改性增注技术进展

对缩膨降压增注、聚硅纳米降压增注和表面活性剂降压增注这3类储层表面改性技术进行了总结,并对其技术特点、减阻机理及应用情况进行了介绍。     

AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法.最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流...     

合成氯硅烷精馏工艺改造

针对多晶硅生产中合成氯硅烷精馏工艺存在的问题,对其工艺进行了改造,采用Aspen Plus软件对改造后的工艺进行了模拟计算,并结合生产实际确定了较优的操作条件。与原工艺相比,工艺流程简单,设备数量减少,塔釜再沸器能耗减少23.56%,塔顶冷凝器能耗减少24.68%,合成精制三氯氢硅及多晶硅产品的合格率分别由改造前的92.1%和86.4%提高至97.5%和92.1%。     

多晶硅生产中废气淋洗塔着火及系统产生无定型硅的原因分析及处理措施

多晶硅炉试生产一个月后,废气淋洗塔在一周内着火9次。经检查,还原炉炉壁、炉子基盘上散布有无定型硅粉,回收的氯硅烷颜色呈黑灰色,系统检测DCS含量达10%;MSA还原炉反应温度在900～1000℃之间,GT还原炉反应温度在1050℃～1100℃之间。分析研究后认为,MSA还原炉反应温度过低,处在生成DCS和无定型硅的温度区域,管道内富集了无定形硅,造成系统的堵塞,致废弃淋洗塔产生着火现象。采取了提高还原反应温度至1100～1150℃的措施,两周后,系统检测DCS含量降低到4%左右,淋洗塔不再着火,回收的氯硅烷颜色恢复。