多晶硅薄膜压阻系数的理论研究

利用应力退耦模型,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析,并推导出多晶硅压阻系数的表达式.实验结果表明,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据.     

CCD多晶硅层间复合绝缘介质研究

电荷耦合器件(CCD)多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响。将氮化硅和二氧化硅作为CCD多晶硅层间复合绝缘介质,采用扫描电子显微镜(SEM)和电学测试系统研究了多晶硅层间氮化硅和二氧化硅复合绝缘介质对CCD多晶硅栅间距和多晶硅层间击穿电压的影响。研究结果表明,多晶硅层间复合绝缘介质中的氮化硅填充了多晶硅热氧化层的微小空隙,可以明显改善绝缘介质质量。多晶硅层间击穿电压随着氮化硅厚度的增加而增大,但太厚的氮化硅会导致CCD暗电流明显增大。由于复合绝缘介质质量好,可以减小CCD多晶硅的氧化厚度。     

Laser Recrystallization of Polycrystalline Silicon in Recessed Structures

The pulsed-laser recrystallization of polysilicon in recessed structures, consisting of a silicon film deposited on a patterned oxide layer on a heat sink, is investigated for the first time. The different thermal environments created by the recess area, when compared to those outside this area, causes the recessed silicon to cool first. The different cooling rates in the continuous silicon film creates lateral temperature gradients, producing large elongated grains. Additionally, the recessed structure can lead to different film microstructures within the recessed area compared to outside this area. This structure is therefore capable of grain engineering different microstructures for polysilicon.     

适用于水平预探井的聚硅氟钻井液

预探水平5井用膨润土浆一开；二开使用聚合物钻井液，配方为：0．3％HFB401 0．3％NPAN 1．0％HFT 201 1．5％HRTl0l 4．0％HFB10l 0．5％抗盐降滤失剂 0．3％固体润滑剂 0．4％液体降粘剂；三开使用聚硅氟钻井液，利用聚合醇和硅氟的双重抑制性，解决了该井水平段二叠系含碳质、煤质泥岩地层的垮塌问题，并通过加液体极压润滑剂HFB10l，配合少量固体润滑剂，以接近水平生产井混油钻井液的成本完成施工．其配方为：2．0％GFWJ 1．5％GFXJ 2．5%HRT10l 3．0％HFT201 0．2％HFX10l 3．0％HFBl0l 2％聚合醇 0．3％固体润滑剂。实践表明：聚硅氟钻井液润滑性能好，净化能力高。能够适应水平5井的地层特点．较好她满足了各项施工需要．     

CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响

CCD多晶硅交叠区域绝缘介质对成品率和器件可靠性具有重要的影响.采用扫描电子显微镜和电学测试系统研究了CCD栅介质工艺对多晶硅层间介质的影响.研究结果表明:栅介质工艺对多晶硅层间介质形貌具有显著的影响.栅介质氮化硅淀积后进行氧化,随着氧化时间延长,靠近栅介质氮化硅区域的多晶硅层间介质层厚度增大.增加氮化硅氧化时间到320 min,多晶硅层间薄弱区氧化层厚度增加到227 nm.在前一次多晶硅氧化后淀积一层15 nm厚氮化硅,能够很好地填充多晶硅层间介质空隙区,不会对CCD工作电压产生不利的影响.     

多晶硅破碎筛分机结构设计与分析

太阳能级多晶硅纯度为＂6个9＂,其棒料纯度高、硬度大,在破碎过程中不能受到金属和碳等杂质的污染。本文阐述一种多晶硅棒料破碎筛分机的设计,并通过计算说明了锤杆及锤头参数的选取。该装置采用锤式冲击破碎,锤头与硅棒接触面积小、接触时间短。直接参与破碎的零件采用硬质合金,其他与多晶硅接触的零件采用超高分子量聚乙烯板隔离,不污染多晶硅。本机结构简单,设计合理,具有较好的实用性.     

基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片

提出了一种基于牺牲层技术的高过载压力传感器芯片。这种传感器充分利用了多晶硅机械特性和多晶硅纳米膜的压阻特性优势,提高了传感器满量程输出和过载能力。利用有限元方法设计了仿真模型,通过对弹性膜片应力分布的静态分析和非线性接触分析,给出了提高这种压力传感器满量程输出和过载能力的设计方法。并试制了量程为2.5 MPa的传感器芯片样品。测试结果表明样品的过载压力超过7倍量程,5 V供电条件下,满量程输出达到362 m V。     

太阳能级多晶硅生产工艺的比较研究

太阳能作为一种清洁的可再生能源为太阳能电池的发展开辟了广阔的市场,而太阳能电池的重要基础材料是多晶硅。因此,如何生产低成本、高品质的太阳能级多晶硅成为人们关注的核心问题。本文阐述了化学法、冶金法等包含的多种多晶硅生产工艺,并通过对各种工艺的分析比较,指出新硅烷法作为一种最具前景的太阳能级多晶硅生产工艺必将带来多晶硅行业的历史性变革。     

三种有机膦酸阻垢剂对碳酸钙晶面吸附作用的分子动力学研究

结合多晶硅实际生产工艺,采用分子动力学模拟方法研究了3种典型有机膦酸阻垢剂NTMP、EDTMP和DTPMP与碳酸钙晶面的吸附作用。结果表明:3种有机膦酸阻垢剂分子能够自发吸附在碳酸钙晶面上,吸附能为负值,吸附过程为放热过程;对碳酸钙(110)面的吸附作用强于(104)面,会优先吸附在(110)面上;吸附能主要由静电作用能和范德华作用能组成,其中静电作用能远大于范德华作用能,占主导作用;对方解石晶面吸附作用的顺序是DTPMPEDTMPNTMP,对碳酸钙垢阻垢作用顺序是DTPMPEDTMPNTMP,吸附作用越大,对碳酸钙垢抑制作用越强。     

三氯氢硅精馏工艺的模拟研究

为了降低多晶硅的生产成本,模拟和优化了三氯氢硅合成料精馏过程中脱轻-脱重和脱重-脱轻2种工艺路线,比较2种了工艺路线的综合热负荷。结果表明,在相同进料组成、操作压力、分离要求前提下,脱重-脱轻工艺的综合热负荷显著大于脱轻-脱重工艺的综合热负荷。对进料1、进料2和进料3 3种情形,分别高出17.6%,14.7%和11.3%,平均高出14.5%。原因是与脱轻-脱重工艺中脱重塔相比,脱重-脱轻工艺中脱重塔需要处理的物料流量大,且其塔顶温度更低一些,导致后一个塔的热负荷明显高于前一个塔的热负荷。