化学镀工艺在微电子材料中的研究和应用

简要综述了化学镀工艺在微电子材料中的应用,讨论了影响化学镀镍、铜、锡、钴和贵金属等的主要因素,阐述了化学镀微电子材料的特性、存在问题及研究动态。     

基于BOM的目标成本决策系统设计与实现

目标成本是企业成本控制的奋斗目标，将成本控制在预定的目标之内，是提高企业竞争能力的重要环节，目标成本的制定是在综合考虑到未来一定时间内的有关产品的品种、数量、价格、税金、利润等诸多因素从而确定的成本水平，既可用于原有产品的生产、改造，也可应用于新开发产品的设计、试制。本系统是在物料清单的基础上，进行目标成本的分解，将改进后的成本与目标成本进行比较，找出差异进行反馈，以便分析挖潜，采取措施降低成本。     

光学材料的激光微加工研究进展与应用前景

综述了国内外在光学材料激光微加工方面的研究成果和应用状况，并展望了其发展前景。     

用于硅衬底隔离的选择性多孔硅厚膜的制备

在硅衬底上形成高阻隔离层对于提高硅基射频电路的性能具有重要意义。采用多孔硅厚膜作为隔离层 ,能够极大地降低衬底高频损耗。本文对n+型硅衬底上选择性多孔硅厚膜的制备进行了研究。通过在阳极氧化反应中采用不同的HF溶液的浓度、电流密度和反应时间来控制多孔硅的膜厚、孔隙度等特性。有效地减少了多孔硅的龟裂失效 ,得到的多孔硅最大膜厚为 72 μm。并测量了多孔硅的生长速率与表面形貌     

真空荧光显示屏基板绝缘层的质量控制

详细地分析了影响真空荧光显示屏基板断极和连极的主要原因是绝缘层的印刷质量，并提出了强制绝缘层印刷质量的措施。     

7050航空铝合金激光冲击强化残余压应力研究

用激光冲击强化处理装置对重要航空铝合金结构材料7050T7451、7050T7452不同工艺条件下进行了冲击强化处理,并对试件激光冲击区存在的残余压应力进行了测量。结果显示经激光冲击处理后试件表面具有极高的残余压应力,可达-200MPa以上;经过两次迭加冲击处理能够极大提高强化效果,其残余压应力相比单次冲击处理提高1倍以上;单面两次迭加处理与双面依次迭加冲击处理相比,试件正面(先冲击一面)残余压应力水平相当,且双面依次迭加处理试件反面(后冲击一面)的残余压应力远小于正面。以上一系列重要结果均为首次通过试验发现,对激光冲击强化处理技术的实际工程应用具有指导性意义。最后还给出了相应的表层组织结构分析和疲劳寿命试验结果。     

高密度互连印制板

本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。     

埋入高阻值电阻材料

埋置无源元件的市场需求不断增加,本文介绍了一种生产高阻值埋置电阻材料的方法燃烧化学蒸汽沉积法(CCVD)。     

PWB设计制造工艺和基材对耐CAF影响的评估

概述了CAF机理,各种标准基材,其它PWB基材和新型非双氰胺FR-4基材的电化学迁移或耐CAF的温度-湿度-偏压测试和数据分析方法。     

(CoFe)Se2@NC超级电容器电极材料的制备及其电化学性能

金属-有机框架(MOF)衍生的过渡金属硒化物和多孔碳纳米复合材料具有巨大的储能优势,是应用于电化学储能的优良电极材料。采用共沉淀法制备CoFe类普鲁士蓝(CoFe-PBA)纳米立方,并通过静电组装在CoFe-PBA上包覆聚吡咯(PPy)得到CoFe-PBA@PPy;通过在400℃氮气中退火并硒化成功制备了氮掺杂的碳(NC)包覆(CoFe)Se₂的(CoFe)Se₂@NC纳米复合材料,并对其结构和形貌进行了表征。以(CoFe)Se₂@NC为电极制备了超级电容器,测试了其电化学性能,结果表明,在电流密度1 A/g时超级电容器的比电容达到1047.9 F/g,在电流密度5 A/g下1000次循环后具有良好的循环稳定性和96.55%的比电容保持率。由于其性能优越、无毒、成本低和易于制备,未来(CoFe)Se₂@NC纳米复合材料在超级电容器中具有非常大的应用潜力。