关于银山铅锌矿井下无功补偿方式的探讨

对银山铅锌矿井下负荷性质进行了分析 ,根据各种无功补偿装置的技术特点 ,提出采用低压电容动态补偿方式对该矿井下无功进行补偿和降低电压波动。     

多目标无功优化问题的模糊数学解法

首次应用模糊数学的理论和方法建立了求解电力系统多目标非线性无功优化问题的新模型,使之转换成标准的线性规划问题,并巧妙地引用模拟退火算法,简化了计算,满足了实际工程的需求。     

城市高中压电网无功功率优化规划

文章介绍了所开发的城市高中压配电网无功优化规划系统的基本构成及功能,提出了基于启发式算法和Ｂｅｎｄｅｒ’ｓ分解的目标年无功优化规划新算法,同时对多负荷水平和多阶段的无功优化规划问题进行了分析,提出了相应的解决方法。     

Development of InxGa1−xAs-based ohmic contacts for p-type GaAs by radio-frequency sputtering

In_xGa_1−xAs-based ohmic contacts which showed excellent contact properties for n-GaAs were demonstrated to be applicable to p-GaAs ohmic contacts. These contacts, prepared by radio-frequency sputtering, provided low contact resistance (0.2 Ω-mm), excellent thermal stability, smooth surface, and good reproducibility. The contact resistances had a weak dependence on the annealing temperatures, which was desirable in a manufacturing view point. This weak temperature dependence was explained to be due to a unique Schottky barrier height at the metal/p-In_xGa_1−xAs interface which does not depend on the In concentration in the In_xGa_1−xAs layer. The present experiment showed the possibility of simultaneous preparation of ohmic contacts for both n and p-GaAs using the same contact materials.     

难熔金属及硅化物薄膜特性研究

对难熔金属及其硅化物的形成、特性进行了研究。采用溅射难熔金属、热硅化反应的方法，解决了ＶＬＳＩ工艺中由于ＭＯＳ电路图形尺寸缩小带来的栅电阻增大的问题；采用硅化物阻挡层和Ａ１多层金属布线方法，解决了欧姆接触和铝的电迁移问题。     

溅射制备ZnS:Er~(3+)薄膜的光电子发射结构

利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微晶薄膜中稀土掺杂状态对激发机制的影响。     

脉冲溅射电源的设计及其应用

设计研制了脉冲溅射电源并用此电源制备了Ａｌ２Ｏ３薄膜，实验表明采用脉冲电源可以抑制溅射同的异常放电。     

离子束溅射铂膜沉积速率的温度效应

实验研究了离子束溅射铂膜的沉积速率与溅射功率、基片温度之间的关系。结果表明基片温度对沉积速率有明显的影响．沉积速率随基片温度的上升而增大。利用吸附理论对此现象进行了探讨。     

粉末溅射平面薄膜型SnO2／CeO2酒敏传感器

介绍粉末溅射研制的ＳｎＯ２／ＣｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、温度和掺杂量等关系的研究结果，并根据此结果对平面薄膜型敏感传感器的工艺和结构进行了设计；介绍了所研制器件的一些性能，并对有关问题进行了讨论。     

RF溅射Ta－10W合金薄膜性能与沉积参数的关系

利用ＲＦ溅射技术在ＰＣｒＮｉ２ＭｏＶＡ基上沉积Ｔａ－１０Ｗ合金薄膜，利用扫描电镜等分析手段研究了薄膜的沉积速率、断口的组织形貌与沉积参数之间的关系。结果表明，沉积速率随功率的增加而线性增加，随Ａｒ气压强的增加呈非线性增加，基底无论加正偏压还是加负偏压都使沉积速率下降。薄膜的组织形貌随Ａｒ气压强的增加由纤维组织变为粗大锥状晶。气压越高，组织越粗大，孔洞尺寸也越大。基底加偏压使组织细化。