二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析

采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺，制作了N型6H—SiC肖特基势垒二极管，对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明，该器件具有很好的整流特性，反向电流小、击穿电压高，且在高温下器件波动很小，能够稳定地工作，适合于在高温(600℃)等恶劣环境下长期可靠地工作。     

低压动态无功补偿装置的质量鉴定

目前为了改善电能质量,低压动态无功补偿装置等无功补偿技术装置在电力供电系统中的应用越来越普及。选择合理的补偿装置,可以做到最大限度地减少网络的损耗,提高系统的运行电压和稳定水平,使电网质量得到提高。反之,若选择或使用不当,可能造成供电系统电压波动,谐波增大等诸多因素。该文针对低压动态无功补偿装置的过电烧毁现象,借助电子探针和扫描电镜X射线能谱定量分析(SEM/EDS)以及X射线显微系统等微量物证分析手段,从实物烧坏状态分析以及微量物证失效分析角度对涉案设备进行了过电压分析。同时针对过电压现象进行了补偿电容器选型计算,计算结果表明系统(配电网)产生了过补偿。过补偿的结果就是系统(配电网)形成过电压。     

（英）沉积参数对射频磁控溅射制备的碲锌镉薄膜的影响

采用Cd096Zn0.04Te靶,利用射频磁控溅射制备碲锌镉薄膜,通过改变基片温度、溅射功率和工作气压,制得不同的碲锌镉薄膜.将制备的碲锌镉薄膜放置在高纯空气气氛中,在473 K温度下退火.利用台阶仪、分光光度计、XRD和SEM测试设备表征,结果表明,通过退火和改变沉积参数,可以制备出禁带宽度在1.45～2.02eV之间调节的碲锌镉薄膜.     

同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。     

射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜

利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。     

光学元件表面疵病标准板系统设计

为解决大口径光学元件表面疵病检测设备的精确测量、校准和溯源问题。设计了用于标定表面疵病检测系统的标准板,通过电子束曝光将定标图案转移至掩模板,再采用反应离子束刻蚀的方法制作标准板。通过扫描电镜测量标准板上各标准线的真实线宽尺寸,并以扫描电镜测量结果为参考值标定大口径表面疵病检测系统。利用所设计的标准板标定基于散射成像法的大口径表面疵病检测系统。结果表明,当疵病线宽尺寸大于45 μm时,疵病的散射像满足几何成像原理,当疵病宽度尺寸小于45 μm时,需按标定结果进行计算。     

Organic Nanoprobe Cocktails for Multilocal and Multicolor Fluorescence Imaging of Reactive Oxygen Species

Hypochlorite (ClO^?) as a highly reactive oxygen species not only acts as a powerful “guarder” in innate host defense but also regulates inflammation‐related pathological conditions. Despite the availability of fluorescence probes for detection of ClO^? in cells, most of them can only detect ClO^? in single cellular organelle, limiting the capability to fully elucidate the synergistic effect of different organelles on the generation of ClO^?. This study proposes a nanoprobe cocktail approach for multicolor and multiorganelle imaging of ClO^? in cells. Two semiconducting oligomers with different π‐conjugation length are synthesized, both of which contain phenothiazine to specifically react with ClO^? but show different fluorescent color responses. These sensing components are self‐assembled into the nanoprobes with the ability to target cellular lysosome and mitochondria, respectively. The mixture of these nanoprobes forms a nano‐cocktail that allows for simultaneous imaging of elevated level of ClO^? in lysosome and mitochondria according to fluorescence color variations under selective excitation of each nanoprobe. Thus, this study provides a general concept to design probe cocktails for multilocal and multicolor imaging.     

多功能电力仪表计量芯片

介绍了SA9904B,ATr7026A及CS5463等三相高精度电能计量芯片的原理,比较了芯片的性能指标。SA9904B提供有功、无功电能．但不提供视在功率和相角等参数;ATr7026A提供各分相、合相参数,但不具有中断功能;CS5463不但提供各种计量参数．且具有中断．更有低于12mW的超低功耗。