一种星辐射模式下全天区星图识别算法及FPGA实现

针对在DSP中实现全天区星图识别算法耗时长导致实时性差,提出并实现了一种基于FPGA的星辐射模式下的全天区星图识别算法。该方法利用FPGA并行性、高主频等特性,在保证算法高精度、高准确度的前提下,解决了全天区星图识别耗时长的问题。首先,根据星点信息构建星辐射模式;其次,基于FPGA实现了星辐射模式下对应特征向量的计算;最后,提出了一种可预读、流水化的星辐射模式匹配算法,极大地缩短了星辐射模式匹配的时间。在Xilinx公司的Xc7a75tfgg484-2平台上进行实验验证,结果表明,在相同时钟主频下,基于FPGA的星图识别算法速度比基于DSP的算法速度快10.95倍以上,而且在使用三组特征向量同时进行匹配时,识别率超过99%。     

低电平扫描电流高强辐射场试验方法研究

低电平扫描电流试验(LLSC)是飞机高强辐射场(HIRF)试验的一部分,其实质是在2~400 MHz 频段 内对飞机进行电磁辐照,以确定外部HIRF 环境与设备线束感应电流之间的传递函数。基于RTCA/ DO-160G 和SAE ARP5583A 标准建立HIRF 测试环境,通过对AC312E 直升机开展低电平扫描电流试验,得到了线束传递函数随频 率、天线极化方式、电磁辐照方向、线束布置的变化规律并分析了其影响机理。结果表明:发射天线以不同极化方式 辐照机体时,不同布置的线束其传递函数有一定差别;发射天线以垂直极化在0°方向辐照时,行李舱附近右发动机 控制单元(EECUR)线束的传递函数比位于驾驶舱的座舱显示器(MFD)线束的传递函数要小;发射天线以垂直极化 方式在不同方向辐照机体时,EECUR 线束在某些频段下在右侧90°方向辐照比左侧270°方向辐照的传递函数要大。 所得结论可为直升机适航符合性验证和低电平扫描电流试验的开展提供参考与支撑。     

同轴线斜置缝隙振子的阻抗和辐射特性

同轴线斜置缝隙天线以其独特的辐射特性与阻抗特性，在通信和广播中得到广泛应用。文中对同轴线斜置缝隙振子的阻抗特性和辐射特性进行了全面分析，推导了等效阻抗与辐射场数学表达式，给出了例算结果。     

一种研究开导波结构中截止区辐射特性的有效方法

开导波结构中存在束缚区与辐射区,而辐射区又可划分成天线区和截止区.人们对导波在束缚区与天线区过渡的研究已经相当透彻,但是由于泄漏效应和截止效应在整个辐射区内同时存在,天线区和截止区的过渡变得异常复杂.如何合理地划分天线区和截止区成了漏波现象研究中一个重要课题.本文通过对传统截止区定义的拓广,使用复介电常数的概念,给出了一种较为简单可靠的判断准则.根据该准则我们分离出泄漏效应和截止效应各自对衰减常数的贡献,并推导出在截止区内衰减常数的解析表达式.该表达式清楚地显示了截止区中大衰减常数低辐射效率的现象.     

NRD波导缝隙天线中横向辐射现象的研究

本文对NRD波导裂缝天线横向辐射现象进行了深入的研究.给出了一种分析波导缝隙横向辐射能量空间分布的有效方法.研究结果不仅对开放波导激励的缝隙天线的设计有实际意义,而且对以缝隙作为耦合结构的集成电路的研制,特别对抑制由横向辐射造成的干扰的研究有着重要的指导意义.     

工作流技术在电信运营系统业务流程重组中的应用研究

工作流技术的研究和实现已经成为计算机应用领域的一个热点，其构建的信息系统具有很好的灵活性和良好的可扩展能力。本文介绍了工作流技术，并以电信运营系统业务流程重组(BPR)为背景，分析了工作流技术的具体实现，主要包括工作流定义、BPR理念、工作流模型、实施步骤几个方面。     

NO分子A^2∑（v’=1）→X^2∏（v”=1～11）跃迁的激光诱导荧光光谱

用Nd1YAG激光器泵浦光学参量发生放大器做激发源，利用激光诱导荧光光谱技术得到NO分子在200～370nm范围内的荧光光谱，谱线峰值归属于A^2∑(v’=1)→X^2∏(v”=1,3～11)跃迁，用最小二乘法拟合获得NO分子X^2∏态振动常数，计算出平衡位置的力常数k。通过测量NO分子在不同气压下A^2∑→X^2∏跃迁的时间分辨谱，得到A^2∑(v’=1)态的自然寿命为180ns。结果可为用激光诱导荧光光谱技术探测大气污染物NO分子提供理论及实验参考。     

探测器本身的辐射对实时测温系统测温精度的影响及其抑制

在介绍一种采用钽酸锂热释电探测器实现的实时测温系统的基础上，着重讨论了探测器系统本身的辐射对该系统测温精度的影响．提出了抑制探测器系统本身的辐射对该系统测温精度影响的三条措施：一是对探测器进行水冷；二是采用一带宽为150nm的窄带干涉滤光片；三是进行电气补偿并进行了一些必要的分析与讨论．同时实验也表明，在采取上述抗干扰措施后，在要求的测温范围400℃～1200℃内，测温精度符合设计要求．     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

超Jaynes-Cummings模型中的原子置于热辐射场时的相干特性

超Jaynes一Cummings模型中的两能级原子置于热辐射场。通过求解原子与热辐射场相互作用过程中原子约化密度算符非对角元．精确得出子原子相干性的衰变规律。研究了在相互作用系统中外加驱动场时可保持原子的相干性，此时外加驱动场的时间演化与原子的跃迁频率、原子偶极矩、热库的温度和k模光子频率等因素有关。