基于SOA非线性偏振旋转效应谐波锁模光纤激光器的数值研究

基于半导体光放大器(SOA)的锁模光纤环行激光器因其能得到高质量、高重复率的光脉冲而受到人们的广泛关注.在考虑SOA非线性偏振旋转效应下,建立了基于SOA的谐波锁模光纤激光器理论模型,利用该模型,着重研究了在不同SOA注入电流情况下,SOA非线性偏振旋转效应对谐波锁模光纤激光器输出脉冲波形、峰值功率及脉冲宽度的影响.研究结果表明:当SOA注入电流分别为102 mA和106 mA时,可以获得峰值功率为0.16 mW和0.56 mW、脉冲宽度为6 ps和19.8 ps的稳定锁模脉冲.     

再入干涉式光纤角速率传感器的研究

对一种新型再入干涉式光纤角速率传感器进行了特性分析 ,推导了灵敏度和极限分辨率的理论公式 ,通过数值方法 ,确定了光路耦合器的最优耦合比。根据优化设计 ,采用 2 0 m长度的保偏光纤 ,建立了实验装置 ,并对其标度因数和零偏稳定性进行了初步测试。转台测试结果表明 ,其随机漂移优于 6deg/h。     

旋转矩阵法抗多用户间干扰

研究了一种新的MIMO系统下多用户间干扰抑制技术(旋转矩阵法),此方法增加了码字间的欧氏距离,降低成对差错率,与传统方法(TDMA/CDMA)系统相比:保证了频带利用率;并对接收机进行设计,为降低算法复杂度采用了MMSEML分组接收机。仿真证明,在没有编码、不用正交信号、在高信噪比下,系统可明显降低用户间干扰,而MMSEML接收机降低算法复杂度的同时在信噪比22dB时,误码率可达到3·3E3。     

棒状液晶分子相变问题的机械旋转模型研究

综述一种关于棒状液晶材料的分子结构与液晶相的相关关系的研究成果。介绍了有关液晶分子的机械旋转模型。该模型将液晶分子视作一种高速旋转的转子,通过分子参数计算,对液晶材料的相变温度和分子结构之间的关系给出了一种全新的解释。最新研究表明,含氟三苯液晶材料的分子结构中存在slim和fat现象,能够对液晶材料的相变进行合理解释。该模型能够通过简单的模型方法对新型液晶材料的分子设计与合成提供有用的信息。     

新型大尺寸电磁驱动MEMS光学扫描镜的研制

设计并制作了一种结构新颖的镜面尺寸为6mm×4mm的电磁驱动MEMS光学扫描镜.这种背面为微型铜驱动线圈的MEMS硅基扭转镜面沉浸在由包含永磁体的磁回路产生的磁场中,当电流信号通过驱动线圈时,MEMS光学扫描镜绕着扭转梁发生了大角度的扫描运动.采用MEMS体硅加工工艺和电镀技术制作的器件显示出了优良的性能,实验获得的扫描镜静态转角斜率为0.03°/mA,当器件进行动态扫描时,在381Hz的谐振频率下获得了最大±10.2°的光学扭转角度,空气中的Q因子为221,相应的功耗为13μW,与此同时MEMS光学扫描镜具备了出色的镜面粗糙度、光学反射率和镜面平整度.实验证明该器件完全适合于微型光谱仪和可调光滤波器的应用.     

基于不变矩特征的红外成像制导跟踪算法研究

随着红外成像制导技术的发展,它对制导跟踪算法的精度和实时性的要求越来越高。制导系统已被要求在20 ms的时间内输出跟踪结果。某些跟踪算法虽然效果较好,但达不到实时输出。经典的制导算法-相关跟踪算法主要基于像素灰度特征进行跟踪,无法解决跟踪过程中由于目标的旋转、膨胀以及仿射变换带来的跟踪点漂移问题。为了解决经典相关跟踪算法无法解决图像旋转时的跟踪稳定性问题以及目标图像急剧膨胀时的跟踪点漂移问题,研究了图像不变矩的特征。利用图像不变矩的旋转-伸缩-平移不变性,选择合适的不变矩特征用于跟踪。通过用归一化的乘法相关函数以及基于相关系数值的模板更新策略设计跟踪算法,解决了复杂背景及强噪声条件下不能对尺寸和形状发生变化的目标进行稳定跟踪的问题。     

基于螺旋状液晶的非制冷红外探测技术研究

针对制冷型红外探测器需要制冷、造价昂贵、体积庞大、读出电路复杂并且不能在常温下工作等缺点,基于液晶的旋光理论和热光性质,研究了一种新型非制冷光学读出红外探测技术。通过设计相应的光路测试了螺旋状液晶的温度旋光特性,实验结果显示在20～42℃温度范围内,光强随温度变化显著。利用螺旋状液晶这种敏感的温度效应搭建了一套液晶非制冷红外探测系统,该系统不需要制冷器,结构简单,可以在常温下工作、能够实现光学读出。     

复合波片的等效性理论分析

提出三元复合波片具有等效光轴,二元波片无等效光轴,但存在一个特殊角度可理解为等效光轴。     

掺Tb_2O_3法拉第旋转玻璃

本文研究了掺Tb_2O_3的法拉第旋转玻璃的组成、物理化学性质及制备技术,实验结果表明维尔德常数V随着Tb_2O_3浓度的增大而增大,硼硅酸盐玻璃中Tb_2O_3含量大于20％(mol)时,维尔德常数可以达到-0.0030min/A/m·cm,从熔制试验结果0.5L铂坩埚可以获得质量较好的φ50×25mm的样品。     

In－BiCaVIG的晶体生长与性能

本文报导了用助熔剂法成功地生长大尺寸掺铟ＢｉＣａＶＩＧ晶体的方法以及实验结果，介绍了该单晶在近红外区的磁光器件中的重要应用。