SOI技术问题和BSIM3SOIv1.3模型参数特点

SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点,SOI CMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用。但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准,BSIM3SOIv1.3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型,是在体硅MOS器件模型工业标准(BSIM3V3)的基础上开发而成,BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性,自加热和体接触提出相应的模型参数。     

自热式印制板加热性能分析与评估

针对星载电子设备集成化、轻量化设计需求,基于机热一体化设计了一种自热式印制板,通过在多层印制板中埋置加热电阻实现其自加热功能.采用仿真分析,研究了印制板加热电阻布局、导热性能以及结构参数等对加热性能和力学特性的影响,完成自热式印制板样件研制和加热性能评估.研究结果表明,对印制板电路布局、结构参数进行优化设计,可以实现印制板温控区域良好的温度均匀性,满足航天产品温控要求.     

基于交叉点温度法煤自燃倾向性评定指标的物理内涵

为了探索基于传统交叉点温度法建立的煤自燃倾向性评定指标的物理本质和相互间联系,对线性升温环境中具反应活性固体样品热响应进行理论模拟,同时跟踪含水量对交叉点温度(CPT)以及衍生指标HR和FCC结果的影响。结果显示,线性升温环境中样品中心温度呈典型变化,即初期线性升温、缓慢升温和后续急剧升温3个阶段。计算结果与现有的实验数据高度吻合。随着样品含水量的增加,其CPT温度升高,表明样品自加热和自燃倾向性降低;而指标HR和FCC的评定结果却相反。进一步分析表明,CPT温度间接表征样品走向显著氧化和自加热的起始（临界）温度,反映样品发生氧化自加热的难易程度,可以作为评定材料自加热和自燃倾向性的主要指标。指标HR和FCC是对处于CPT测试情形下样品产热能力的表征,与材料原始状态下的属性没有直接关联,因而只适合在CPT检测结果接近时对样品间自加热和自燃倾向性差异进行补充评定。     

非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。     

食品用加热包的品质分析探讨

食品用加热包主要依靠复杂的化学反应使食品复热,安全上可能存在一些风险。因此,通过对食品用加热包的品质指标进行分析,探讨其复热食品的热量传递特性及对食品安全、使用安全及环境安全的影响。综述目前加热包的性能评价的相关研究进展,对比密闭式加热和开放式加热的区别,并对其使用时对环境、食品及消费者的影响,及使用后丢弃会对环境造成的影响进行分析,展望食品用加热包未来的发展方向。食品用加热包使用过程中反应不完全,热能释放不充分;在热能传递过程中,存在大量热能损失,造成资源浪费;开放式加热时,加热包中金属元素有随蒸汽迁移的风险,加热包无纺布包装材料有释放挥发性有机物的可能;加热包废弃物也可能会对环境造成不利影响。食品用加热包的热效能利用率需要进一步提高,加热包安全性保障是未来的研究重点之一。     

高功率体声波谐振器的自热效应及其修正

为了在高功率体声波谐振器的设计中考虑自热效应的影响,提出一种声-电磁-热多物理场协同仿真方法 ,来模拟自热导致的频率偏移,并针对此频率偏移的消除问题,提出了相应的修正方案。首先,由常用的Mason模型设计出满足谐振频率要求的初始谐振器。接着,通过声-电磁-热多物理场协同仿真得到自热导致的频率偏移。然后,初步调整压电层厚度,来抵消此频率偏移。最后,对调整后的谐振器迭代进行声-电磁-热多物理场协同仿真,以确定压电层厚度的调整量。结果表明:自热效应会导致高功率体声波谐振器的谐振频率明显下偏(谐振器案例的频率偏移量为3 MHz),通过减薄压电层厚度(案例中为1.7nm)可彻底消除此频率偏移。所提出的高功率体声波谐振器的修正方案能有效地解决自热效应导致的谐振频率偏移问题。     

高地温环境对煤的自热危险性影响分析

为确定高地温环境中煤的自热危险性,进行了不同初始氧化温度的煤绝热氧化实验。结果表明:初始氧化温度升高,煤绝热氧化温升到70℃所用的时间(t70)大大降低,且煤阶越高,t70值受初始氧化温度的影响越大。随着地温的升高,煤的自燃倾向性增大,会由不易自燃煤变为自燃煤。地温升高导致初始氧化时即有大量的原生活性基团参与反应,继而产生更多的次生活性基团,微观反应序列的强度增大,宏观上表现为放热速率明显增强,绝热氧化时间缩短,自热危险性增大。     

大气总温传感器误差修正技术的研究

以进口的Rosemount公司生产的大气总温传感器0102 JD2FS型为例,从4个方面阐述了大气总温传感器的误差修正原理与方法。     

A novel nanoscale SOI MOSFET with Si embedded layer as an effective heat sink

A novel structure such as nanoscale silicon-on-insulator (SOI) MOSFET with silicon embedded layer (SEL-SOI) is proposed to reduce self-heating effects (SHEs) successfully. The SEL as a useful heat sink with high thermal conductivity is inserted inside the buried oxide. The SEL acts like a heat sink and is therefore easily able to distribute the lattice heat throughout the device. We noticed excellent improvement in the thermal performance of the device using two-dimensional and two-carrier device simulation. Our simulation results show that SHE has been dramatically reduced in the proposed structure. In regard to the simulated results, the SEL-SOI structure has shown good performance in comparison with the conventional SOI (C-SOI) structure when utilised in the high temperature applications.