Inhibition of various hydrogen combustion regimes in air by Propylene and Isopropanol

This paper studies the effects of small additives of propylene and isopropanol on the hydrogen-air flame speed in the predetonation regime, deflagration-to-detonation transition, and burning rate. It is shown that the difference in the effects of these additives on the combustion is determined primarily by their ability to terminate reaction chains. In hydrogen flames, the additives are consumed as a result of their reactions with the active intermediate products of H₂ combustion in which these species are replaced by inactive radicals.Translated from Fizika Goreniya i Vzryva, Vol. 41, No. 1, pp. 3–14, January–February, 2005.     

合成氨装置快速开车问题探讨

通过寻找化工投料的最佳速度、时间及低变炉最佳升温时间,并加设合成塔催化剂的自热均衡设计等措施,可以节约开车时间,减少经济损失。     

AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.     

半导体功率器件直流特性的自动脉冲测量

为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响,提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型自动脉冲式电流一电压（I—V）测量系统．用短脉冲技术加低负载循环,通过补偿因子进行系统校准,分析对比直流I—V测量方法和脉;中式I—V测量方法．实验结果表明,所设计的脉冲式I—V测量方法正确有效,能够得到大功率半导体器件真实的输出电导和跨导,自动测量系统相比常规测量方法可以提高测量效率约12倍,为构建大功率场效应晶体管器件的精确模型和工业生产监控提供相关测量数据．     

沧州八大碗自热食品包装设计研究

目的 以沧州八大碗为研究对象,以自热食品形式为切入点,探究沧州八大碗自热食品包装的情感化设计方法,开拓区域特色美食传承新途径。方法 通过分析沧州地域文化,引出沧州八大碗发展现状,将新消费热点“自热食品形式”融入沧州八大碗并提出包装设计的重要性,深入研究情感三层次理论并搭建基于地域文化的情感化设计流程。同时,通过地域文化基因提取与自热产品市场分析提供设计基础,分别从本能层、行为层、反思层具体指导沧州八大碗自热食品包装设计实践。结论 通过设计实践使沧州八大碗自热食品包装设计从外到内都凸显沧州区域文化,充分满足用户和市场需求,以此推动沧州八大碗的传承以及区域文化的传播,使之成为区域特色美食传承新方式的典范。     

Characterization of electrical properties of AlGaN/GaN interface using coupled Schrodinger and Poisson equation

正The electrical characterization of AlGaN/GaN interface is reported.The dependence of two-dimensional electron gas(2-DEG) density at the interface on the Al mole fraction and thickness of AIGaN layer as well as on the thickness of GaN cap layer is presented.This information can be used to design and fabricate AlGaN/GaN based MODFET(modulation doped field effect transistor) for optimum DC and RF characteristics.     

自热和陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏极瞬态响应的影响

本文利用二维数值仿真研究了自热和陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管漏极瞬态响应的影响。分析了脉冲作用下漏极电流的变化;结果表明温度是漏极电流滞后的主要原因。漏极电流达到稳态的时间决定于热时间常数,这里为80微秒。详细讨论了脉冲作用下沟道电子密度和陷阱捕获电子数目的变化情况。结果表明当电场发生突变时,缓冲层受主陷阱是漏极电流崩塌的主要原因。并且沟道电子密度随沟道温度上升而增大。     

搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究

研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅TFT相比,BG多晶硅TFT展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在BG多晶硅TFT拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的BG结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的NBTI的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成;更好的SH可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率;更好的HC可靠性主要源于漏端横向电场(Ex)的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统中具有很大的应用前景。     

自热食品质量安全问题与监管建议

近年来自热食品产业发展迅猛,但其质量安全问题一直备受社会关注。通过概述自热食品产业发展的现状,从产业实践的角度系统分析了自热食品中各组件存在的质量安全风险问题,阐述了目前出台的自热食品监管政策及现行标准,同时对自热食品标准发展趋势进行了探讨,并提出相应的对策和建议,以期为行业企业开展安全生产,监管部门强化监督,保障消费者的食品安全提供参考。     

GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型

GaAsMESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的。本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型。