GaAs MESFET脉冲微波功率器件瞬态热场模型

GaAsMESFET微波功率放大器工作在脉冲周期状态下,由于自热效应,在很短的时间内(100μs数量级),芯片沟道温度可能产生十几度甚至几十度的变化,这种剧烈的温度变化导致功放性能的变化也是不能忽略的。本文通过建立、求解热扩散方程及能量平衡方程,建立起沟道温度的一维瞬态热模型。     

食品自发热剂产氢检测方法的建立

目的建立一种通用、快捷测定食品自发热剂产氢量的方法,并对广泛应用的铝系和镁铁系自发热剂的产氢特性进行测定。方法通过单因素实验和正交实验进行检测条件的优化,并利用该方法对10种市售食品自发热剂的产氢特性进行检测。结果优化后的检测条件为:样品质量0.5 g,料液量比1:5(m/m),反应时间20～30 min。在室温20℃条件下,不同类型的发热剂样品产氢量差异显著。镁铁系自发热剂产氢量为539.95～567.06 mL/g,铝系自发热剂产氢量为225.32～510.95 mL/g。结论本文建立的检测方法,预期可以为食品自发热剂品质评价的定量分析提供技术支撑,并为食品自发热剂的安全合理使用提供技术保障。     

基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制

本文报道了基于国产外延材料的SiC基Al GaN/GaN高迁移率晶体管（HEMT）器件的研制,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术（MOCVD）生长,器件栅长0.8μm,输出电流密度达到0.94A/mm,在5.4GHz下,单指型管芯获得了3.1W/mm的连续波测试功率,与蓝宝石衬底的器件相比,由于自热效应的有效改善,输出功率能力大大提高.     

自热食品品质提升与安全控制的研究进展

目的 围绕自热食品存在的品质问题,概述其主要成因,并提出改善其质量的方法,以期为未来自热食品的升级提供理论依据。方法 对自热食品现有微生物性污染变质和化学性气体渗透污染等问题,以及现有自热食品品质提升方式进行归纳、分析和总结。结论 目前自热食品产品中主要存在加工污染、包装材料污染等问题,未来发展方向应聚焦于生产线卫生安全把控、绿色环保的包装材料的开发与应用、控制生产过程中食品添加剂含量、完善行业安全标准以及货架期模型和风险评估的应用,提高自热食品品质,满足消费者日益增长的需求并保障公众健康。     

SOI Technologies Overview for Low-Power Low-Voltage Radio-Frequency Applications

Thanks to their structure, the SOI technologies present several intrinsic advantages for analog and RF applications. Indeed, as it is well established now, these technologies allow the reduction of the power consumption at a given operating frequency. Moreover, the high-insulating properties of SOI substrates, in particular when high resistivity substrate is used, make that these technologies are perfect candidates for mixed-signal applications. In the present paper, we will discuss the performances of the SOI technologies in radio-frequency range. First of all, the high-frequency behavior of SOI substrates, thanks to the characterization of transmission lines, will be shown. The impact of the SOI substrate resistivity on the performances of passive components will also be analyzed. Then, an overview of RF performances of SOI MOSFETs for two different architectures, fully- and partially-depleted, will be achieved and compared to the bulk ones. Finally, the influence of some specific parasitic effects, such as the kink effect, the self-heating effect and the kink-related excess noise, on the RF performances of SOI devices will be studied, thanks to a specific high-frequency characterization.     

镓熔点温坪复现研究

镓熔点是ITS-90国际温标中重要的定义固定点,在温度计量研究中起着重要作用。由于高纯镓从液态转化为固态时,体积膨胀约3. 1%,传统玻璃外壳的镓熔点容器在冻制过程中很容易造成损坏。为了解决这一难题,设计了一种具有金属外壳的镓熔点装置,以该装置为对象,开展了2种不同镓熔点复现方法和2种不同复现装置对镓相变温坪影响方面的研究,并与国外同类型装置的性能进行了比较。实验结果表明:不同镓点容器复现的镓熔点温度在0. 02 m K范围内一致,高纯镓中的微量杂质是造成差异的主要原因;外液-固界面复现方法比双液-固界面复现方法得到的温坪值低0. 09 m K;不同复现装置对镓熔点温坪的影响较小。     

铜冶炼过程碳排放及自热熔炼分析

“双碳”背景下,我国铜冶炼作为高耗能高排放行业需突破资源、能源、供求关系等多重制约因素,方能迈上铜工业低碳绿色创新可持续发展道路。采用熔炼系统能量流平衡模型研究其能源利用收支情况,有利于进一步挖掘节能潜力,实现富氧底吹熔炼过程的低碳可持续化高效生产。通过计算铜冶炼厂底吹熔炼体系各类热量的收入和支出行为,解析无碳质燃料投入工况下的热量收支平衡关系,继而提出无碳自热熔炼的优化改进方案。因此,从原料适配、操作制度、设备优化等多方式调控以实现富氧底吹无碳自热熔炼。从碳源上减少或避免煤粉的加入,从而降低过程碳排放,以期为铜冶炼的清洁生产提供有益的思路和建议。     

NEDC工况下温度对锂离子电池组性能的影响

研究环境温度(40℃、25℃、0℃和-15℃)对锂离子电池组(102 Ah、30. 8 k Wh)在新标欧洲循环(NEDC)工况下放电性能的影响。锂离子电池组的放电容量、能量随环境温度下降而降低,主要是受内阻的影响。影响内阻的主要因素有:环境温度、放电电流、放电深度(DOD)及电芯自加热效应等。高温(25～40℃)放电时,内阻的变化不显著,主要受DOD的影响;低温(0～15℃)放电时,内阻增大主要因DOD变大;电芯自加热效应可提升低温下锂离子电池组的性能。     

薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化

在300～600K温度范围内,利用ISE TCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOI CMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN-DSOI结构.结果显示,SOI CMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN-DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.