一种新型全向高增益印刷天线的设计

设计了一种新型全向高增益印刷天线。该天线采用平衡微带线作馈线．以印刷振子作为辐射单元,末端采用匹配电路对其输入阻抗进行匹配。用商用软件AnsoftHFSS对天线的特性进行了仿真计算。比较表明,测试结果优于仿真结果。该天线工作在SCDMA频段（1785～1805MHz）,其H面不圆度小于1dB,中心频率下增益大于12dB,满足了设计要求。     

对数周期曲线振子天线的分析与设计

对数周期天线小型化的一种途径是利用新的谐振天线(如V型天线、螺旋天线、分形天线等)代替半波振子来降低谐振高度,这些对数周期天线可以统称为对数周期曲线振子天线.利用基于Nakano方程的矩量法结合等效电路理论来分析对数周期曲线振子天线的新方法,并对几种小型化的对数周期天线进行了研究.计算机仿真表明:该算法简单易行,为研究新型结构的对数周期天线和对数周期天线的小型化提供了一种新途径.     

"电工学"课程教学中的四个有力杠杆

电工教学内容繁杂,头绪众多。若能够巧妙利用四个有力杠杆,就能大大提高教学效果,使学生快速掌握电工理论和技能。四个杠杆即：通过挖掘基本知识来沟通新知;利用对称性来减少学生对于知识的记忆;从对电压和电流的微观考察走向对能量的宏观分析;充分利用实践提升技能和获得认识。     

轴棱锥非圆对称加工误差对贝塞耳光束质量的影响

在惠更斯-菲涅耳衍射积分理论和稳相法的基础上,分析了轴棱锥非圆对称加工误差对其所产生的零阶贝塞耳光束(J0光束)质量的影响,对CCD拍摄的贝塞耳光斑图样进行了数值模拟。计算结果指出,当轴棱锥的截面为圆对称的理想加工时,轴棱锥产生的光场分布为近似理想的零阶贝塞耳光。当存在非圆对称加工误差,且截面为椭圆形时,衍射光斑将偏离J0光.随着椭圆半长短轴之差的增大,偏离程度增大。实验结果和理论模拟吻合得很好。     

边缘检测中小波选取问题研究

小波的选取对边缘检测结果有直接的影响.本文分析和研究了小波的对称性、收敛性、平滑性及小波消失矩的内在联系及这些特性对边缘检测的影响,提出了边缘检测中小波选取原则.实验选取了三种具有不同特性的典型小波对选取原则进行了验证,实验结果证明了本文提出的小波选取原则的正确性.     

基于相位信息和主成分分析的对称性检测方法

对称性检测在图像分析与模式识别中具有重要意义。该文提出一种基于相位信息和主成分分析的对称性检测方法。首先在不同尺度、不同方向上计算相位对称性,其次在每个方向上将所有尺度的相位对称性进行融合,再次利用主成分分析提取各个方向的主要特征,最后利用非极大值抑制和自适应滞后阈值处理得到最终的对称性检测结果。实验证明：该文方法可直接对原始图像进行处理,不需要图像的任何先验知识,对于多目标图像不需分割等任何预处理;可以同时检测亮目标和暗目标的镜像对称、旋转对称、曲线对称;对图像亮度和对比度不敏感。     

不对称金纳米结构的光致热增强效应的调控研究

提出了一种产生光致热增强效应的不对称的人工金 纳米结构,建立了物理模型并进行了计算。采用离散偶极近似(DDA)方法计算水介质环境中 该结构及其不对称性改变后对吸收光谱及近区电磁场分布的影响,进而 利用傅里叶热传导定律数值模拟了该结构产生的热增强效应。结果表明:改变纳米结构的不 对称程度会明显影响结 构的光谱吸收位置、线型和峰值强度;同时,通过调节纳米结构的不对称性也可以有效地将 磁场能转化为热能,并 在结构周围形成高度限定的局域热增强现象。本文提出的纳米结构可在较大的近红外波段范 围内调控温度,可作为纳米尺度 下精确控制光致热效应的温度和设计热等离子纳米器件之参考。     

共熔法在玻璃中生长的半导体量子点的电偶极矩

理论分析了共熔法在玻璃中生长的CdSe0.9S0.1半导体量子点在恒定外场作用下的电偶极矩.由于玻璃介质与量子点的互溶,共熔法在玻璃中生长的量子点是球形梯度量子点,其相对介电常数沿径向的变化可以采用指数函数模拟.在球坐标系中通过分离变量法求解电势满足的方程,得到球形梯度量子点的电偶极矩与量子点体积成正比,以及与半导体和玻璃介电常数的定量关系.     

旋转对称目标双基地一维距离像特性分析

双基地雷达成像研究中通常直接采用了单基地散射中心模型,忽略了双基地几何配置引起散射中心位置变化的这一事实。该文研究了旋转对称目标的双基地散射特性,采用几何绕射理论求解了锥体目标底面边缘双基地散射中心的位置,为入射波方向与散射波方向的夹角角平分线与目标对称轴构成的平面与底面边缘的交点,并据此建立了宽带双基地雷达目标回波模型,进而获得双基地1维距离像。最后,通过电磁计算软件获得了锥体目标的双基地1维距离像,计算结果与理论分析相一致,证明了理论分析的正确性。该文揭示的目标双基地散射中心的位置为旋转对称目标的宽带双基地雷达回波模拟、成像、特征提取与识别等应用提供了准确的数学模型。     

Synergistic Effect of Excited State Property and Aggregation Characteristic of Organic Semiconductor on Efficient Hole-Transportation in Perovskite Device

Intrinsic characteristics of organic semiconductor-based hole transport materials (HTMs) such as facile synthesizability, energy level tunability, and charge transport capability have been highlighted as crucial factors determining the performances of perovskite photovoltaic (PV) cells. However, their properties in the excited state have not been actively studied, although PVs are operated under solar illumination. Here, the characteristics of organic HTMs in their excited state such as transition dipole moment can be a decisive factor that can improve built-in potential of PVs, consequently enhancing their charge extraction property as well as reducing carrier recombination. Moreover, the aggregation property of organic semiconductors, which has been an essential factor for high-performance organic HTMs to improve their carrier transport property, can induce a synergistic effect with their excited state property for the high-efficiency perovskite PVs. Additionally, it is also confirmed that their optical bandgaps, manipulated to have their absorption in the UV region, are beneficial to block UV light that degrades the quality of perovskite, consequently improving the stability of perovskite PV in p–i–n configuration. As a proof-of-concept, a model system, composed of triarylamine and imidazole-based organic HTMs, is designed, and it is believed that this strategy paves a way toward high-performance and stable perovskite PV devices.