首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   106192篇
  免费   8838篇
  国内免费   4415篇
电工技术   6481篇
技术理论   26篇
综合类   15300篇
化学工业   18801篇
金属工艺   4161篇
机械仪表   4804篇
建筑科学   13959篇
矿业工程   4417篇
能源动力   3293篇
轻工业   7609篇
水利工程   5225篇
石油天然气   4141篇
武器工业   620篇
无线电   6986篇
一般工业技术   8663篇
冶金工业   5280篇
原子能技术   828篇
自动化技术   8851篇
  2024年   335篇
  2023年   1358篇
  2022年   2136篇
  2021年   2610篇
  2020年   2601篇
  2019年   2207篇
  2018年   2067篇
  2017年   2693篇
  2016年   3033篇
  2015年   3482篇
  2014年   7311篇
  2013年   5774篇
  2012年   7329篇
  2011年   7791篇
  2010年   6092篇
  2009年   6639篇
  2008年   5727篇
  2007年   7750篇
  2006年   7190篇
  2005年   6187篇
  2004年   5121篇
  2003年   4402篇
  2002年   3528篇
  2001年   3026篇
  2000年   2630篇
  1999年   1955篇
  1998年   1423篇
  1997年   1156篇
  1996年   1069篇
  1995年   890篇
  1994年   740篇
  1993年   578篇
  1992年   533篇
  1991年   351篇
  1990年   298篇
  1989年   277篇
  1988年   206篇
  1987年   139篇
  1986年   137篇
  1985年   117篇
  1984年   115篇
  1983年   77篇
  1982年   85篇
  1981年   61篇
  1980年   49篇
  1979年   26篇
  1978年   18篇
  1977年   21篇
  1976年   18篇
  1975年   28篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 937 毫秒
71.
为了提高非稳定渗流计算的计算精度 ,通过数学分析得到了水位传导系数随时间变化时 ,一类非稳定渗流井流模型的半解析解 ,并进行了计算比较  相似文献   
72.
A method of measuring and identifying the static parameters of a bipolar transistor is considered. The characteristic of the transistor, from which the parameters of the model are determined, is chosen depending on what group the calculated parameters belong to. The characteristics are measured in such a way that the equations of the model describing them can be reduced to the simplest form.  相似文献   
73.
陶瓷表面化学镀的前处理工艺新进展   总被引:9,自引:1,他引:8  
综述了非金属表面化学镀前处理工艺的现状和发展,对陶瓷化学镀的粗化和活化工艺的新进展进行了评述,侧重讨论了离子型、胶体钯型、浆料型、分子自组装吸附钯型、贱金属型活化工艺特点和进展,并展望了今后发展方向。  相似文献   
74.
隔河岩水电站大坝廊道排水控制系统存在设备备品、备件不足,技术落后,系统软件工作不稳定等问题,不能按库坝管理要求对排水量进行监控,严重影响廊道排水系统的可靠性。为此,对该系统进行了综合自动化改造,采用TCP6IP通讯,PLC直接上网,异种CPU热备冗余等技术,提高了整个系统的运行可靠性,满足了“无人值班”的要求。  相似文献   
75.
分析电视新闻拍摄美感的重要性和必要性,提出在实地拍摄过程中如何体现电视新闻的美感。  相似文献   
76.
PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究   总被引:9,自引:3,他引:6  
在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。  相似文献   
77.
从图像的二维谱可以得出现行广播电视图像为什么不能满足人眼的视觉匹配以及现行电视制度的不足 ,从而对未来的高清晰度电视发展提出要求。  相似文献   
78.
基于VXI总线的超宽带线性调频信号源的设计   总被引:3,自引:2,他引:1  
汪海波  陆必应  周智敏 《现代雷达》2003,25(3):44-46,56
主要介绍了VXI总线C尺寸超宽带线性调频信号源的设计方法,重点描述了利用现场可编程逻辑器件FPAG和DSP设计VXI总线接口电路,以及数字波形存储直读技术在线性调频信号源中的应用。  相似文献   
79.
用计算的方式叙述理想九点五态控制器的控制原理。为便于人们理解二阶对象的运动中控制的变化过程,将抽象的对象转换为人们熟知的L-R-C电路,通过调节输入电压(即控制作用)的大小和方向来实现对对象性能的调节,并使系统达到理想的性能指标。最后用仿真来验证计算结果的正确性。  相似文献   
80.
高密度互连印制板   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文阐述了RCC材料与化学蚀刻法制作高密度互连印制板的工序和详细方法,意在探寻最为经济、简单而又行 之有效的工艺。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号