基体温度对磁控溅射沉积ZAO薄膜性能的影响

利用中频交流磁控溅射方法 ,采用氧化锌铝陶瓷靶材 [w(ZnO) =98%、w(Al2 O3 ) =2 % ]制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜 ,观察了基体温度对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响 ,采用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析 ,采用光学分度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性 ,采用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率。结果表明 :沉积薄膜时的基体温度对薄膜的结构、结晶状况、可见光透射率以及导电性有较大的影响。当基体温度为 2 5 0℃ ,Ar分压为 0 8Pa时 ,薄膜的最低电阻率为 4 6× 10 -4Ω·cm ,方块电阻为 35Ω时 ,可见光 (λ =5 5 0nm)透射率高达 92 0 %。     

快速色谱分析技术在油气勘探中的应用

文章通过对五口井的现场应用介绍，阐述了快速色谱分析技术在油气层识别和解释方面的准确性，探讨了该技术在薄油气层的发现和评价、快速钻进条件下油气层的发现、对油气层全烃组份变化的统一、水平井的地质导向以及排除钻井液添加荆对油气显示的影响五个方面的优势，从而论证了快速色谱分析技术在油气勘探中的应用价值。     

薄膜润滑研究的回顾与展望

薄膜润滑是20世纪90年代以来广泛研究的新型润滑状态。它是界于弹流润滑和边界润滑之间的一种过渡润滑状态，有着自己独特的润滑规律。文章回顾了薄膜润滑的研究历史，包括薄膜润滑概念的提出、测试技术的发展、薄膜润滑的膜厚特性、润滑机理探索以及计算理论等方面的研究成果与主要进展。     

离子束辅助沉积制备高功率激光薄膜的研究

综述了离子束辅助沉积技术在高功率激光薄膜制备中的应用研究进展.指出该技术在制备高激光损伤阈值的薄膜中存在的问题,即出现过高的堆积密度,会给薄膜带来杂质缺陷、化学计量比缺陷、损伤缺陷、晶界缺陷,制备薄膜的残余应力存在着压应力增加的趋势,会改变薄膜的晶体结构等.并指出了该研究领域的研究方向.     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

硬质合金长条薄片弯曲变形的控制

从毛坯厚度差、装舟方式、冷却速度、舟皿涂料等方面分析了YG8和J12硬质合金长条薄片的弯曲变形原因,提出了几种抑制弯曲变形的措施。     

薄板坯连铸生产SS400钢工艺技术研究

对唐钢薄板坯连铸机生产的SS400钢的生产工艺进行了分析,认为薄板坯连铸机生产的SS400钢,在采取了精炼站在线定氧,将钢水全氧控制在25×10~(-6)左右,同时连铸采取保护浇注和轻压下等技术后,能够确保薄板坯连铸SS400钢的顺利浇注,轧制的板带材表面质量良好,机械性能符合要求。     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

Evolution of grain structure in thin film reactions

In this paper, we examine, both experimentally and theoretically, the kinetics of formation and microstructure of product phases in thin film reactions, using the Nb/Al and Ti/Al systems as our prototypes. The results of calorimetry and microscopy studies are interpreted using simple kinetic and morphology models. In particular, the kinetic models employed here focus on the nucleation and growth components of the phase formation process and the morphology models provide a starting point for the classification of product grain structures. An erratum to this article is available at .