硬质合金长条薄片弯曲变形的控制

从毛坯厚度差、装舟方式、冷却速度、舟皿涂料等方面分析了YG8和J12硬质合金长条薄片的弯曲变形原因,提出了几种抑制弯曲变形的措施。     

薄板坯连铸生产SS400钢工艺技术研究

对唐钢薄板坯连铸机生产的SS400钢的生产工艺进行了分析,认为薄板坯连铸机生产的SS400钢,在采取了精炼站在线定氧,将钢水全氧控制在25×10~(-6)左右,同时连铸采取保护浇注和轻压下等技术后,能够确保薄板坯连铸SS400钢的顺利浇注,轧制的板带材表面质量良好,机械性能符合要求。     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

Evolution of grain structure in thin film reactions

In this paper, we examine, both experimentally and theoretically, the kinetics of formation and microstructure of product phases in thin film reactions, using the Nb/Al and Ti/Al systems as our prototypes. The results of calorimetry and microscopy studies are interpreted using simple kinetic and morphology models. In particular, the kinetic models employed here focus on the nucleation and growth components of the phase formation process and the morphology models provide a starting point for the classification of product grain structures. An erratum to this article is available at .     

Measurement of specimen charging in scanning electron microscopy with a kelvin probe

A vibrating Kelvin probe in form of a platinum wire loop is used to measure the surface potential U_s on electron-irradiated free-floating metal and insulator specimens as a function of electron energy E. This allows an accurate measurement of the critical electron energy E₂ for no charging. At energies below E₂, the positive charging increases with decreasing energy to U_s=2–5 eV at E=0.5 keV and switching off the collector bias of the Everhart-Thornley detector. A two-to threefold increase of U_s is observed when the bias is switched on. For E > E₂, the strong increase of a negative surface potential can be measured. Insulating films free-supported on a conductive substrate show a steep decrease to small positive and negative U_s when the film thickness becomes lower than the electron range at a critical energy E₃ > E₂. At insulating specimen the temporal decrease of charging can be measured when the electron beam is switched off.     

反应离化团束（RICB）法生长CN硬质薄膜

用反应离化团束（ＲＩＣＢ）法，以低分子量聚乙烯为蒸发材料，氨气为反应气体，在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１００）衬底上淀积Ｃ－Ｎ薄膜，透射电子衍射（ＴＥＭ）分析表明薄膜中含有β－Ｃ３Ｎ４晶粒，Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和红外吸收谱（ＩＲ）表明存在Ｃ，Ｎ原子的化学键合。     

氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化，给出新的解释。     

薄Si膜对基底表面粗糙度的影响

利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是复制基底表面的粗糙度，结果出现了薄膜降低表面粗糙度的现象．提出了一定厚度范围的薄Ｓｉ膜的表面粗糙度存在着一个稳定值的新设想．     

薄膜生长的计算机模拟

薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究，其中计算机模拟是重要的方法，本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析，主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题，其中主要包括粒子间的相互作用，入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。     

金刚石薄膜异质外延的研究进展

主要介绍金刚石薄膜在Si上异质外延的研究状况。综述了外延金刚石薄膜的偏压形核 ,SiC过渡层的影响及一些实验参数对外延薄膜质量的影响等 ,并论述了发展方向