Ge_xC_(1-x)非均匀增透保护膜系的设计和制备

用射频磁控反应溅射法 (RS)制备出 Gex C1-x薄膜 ,其折射率可以在 1 .7～ 4.0之间变化。设计出单层 Gex C1-x非均匀增透保护膜和含有 Gex C1-x非均匀膜的多层增透保护膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明 ,Zn S衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透 ,在 5 0 0 0～ 85 0 cm-1波数范围内 ,平均透过率从 6 7.1 9%提高到 78.70 % ,比未镀膜净增加 1 1 .5 1 %。     

双包层光纤放大器研究

双包层光纤放大器输出功率高,可用于密集波分复用系统、光纤CATV系统以及空间光通信系统中。本文采用分段方法,利用光子数平衡原理建立了半数值双包层掺稀土光纤放大器理论模型。利用本模型可以对双包层光纤放大器进行优化设计。     

基于DDE技术的工业自动控制组态系统的设计分析

DDE作为动态数据交换,是Windows平台上的标准通信协议。利用DDE技术对工业自动控制组态系统进行设计,开发了基于DDE技术的工业自动控制组态系统,不仅可以利用DDE技术实现对数据采集的传递,同时也可以完成VB与系统操作界面之间的数据交互,有效扩展工业自动控制组态软件的功能。以下探讨基于DDE技术的工业自动控制组态系统的设计分析,并给出具体的实践方法。     

医院信息管理系统的设计与实现

21世纪,人类社会已经快速进入了一个以信息化为主要特征的信息时代。卫生信息技术已经广泛应用到了医疗卫生领域。通过医院管理信息系统的使用,可以提高医院运营的效率和质量,增进医院综合管理水平,获得更好,更多的社会效益和经济效益。     

X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz~10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。     

基于VxWorks与RTW Embedded Coder的无人直升机机载飞控软件系统开发

开发高性能可靠的飞控软件是无人直升机控制系统研制的重要核心。结合控制律软件的设计,本文提出一种基于VxWorks嵌入式操作系统和RTW环境的飞控软件开发方案,构建了机载飞控软件总体架构。采用VxWorks多任务调度机制进行任务管理满足飞行控制的实时性要求,应用有限状态机实现无人直升机的行为控制,最后搭建了基于Simulink/RTW Embedded Coder开发测试平台框架并验证了该方案的有效性和可靠性。     

Statistical DOE-ILP based power-performance-process (P3) optimization of nano-CMOS SRAM

As technology continues to scale, maintaining important figures of merit of Static Random Access Memories (SRAMs), such as power dissipation and an acceptable Static Noise Margin (SNM), becomes increasingly challenging. In this paper, we address SRAM instability and power (leakage) dissipation in scaled-down technologies by presenting a novel design flow for simultaneous power minimization, performance maximization and process variation tolerance (P3) optimization of nano-CMOS circuits. The 45 and 32 nm technology node standard 6-Transistor (6T) and 8T SRAM cells are used as example circuits for demonstration of the effectiveness of the flow. Thereafter, the SRAM cell is subjected to a dual threshold voltage (dual-V_Th) assignment based on a novel statistical Design of Experiments-Integer Linear Programming (DOE-ILP) approach. Experimental results show 61% leakage power reduction and 13% increase in the read SNM. In addition, process variation analysis of the optimized cell is conducted considering the variability effect in twelve device parameters. To the best of the authors' knowledge, this is the first study which makes use of statistical DOE-ILP for optimization of conflicting targets of stability and power in the presence of process variations in SRAMs.     

梯度折射率光纤探针的光学特征参数

解析梯度折射率(GRIN)光纤探针的光学特征参数,用于光学相干层析技术(OCT)探头超小型化的研究。在概述由单模光纤、无芯光纤和GRIN光纤镜头构成的GRIN光纤探针模型的基础上,定义GRIN光纤探针的工作距离和聚焦光斑尺寸等光学特征参数,并用高斯光束复参数矩阵变换的方法推导探针光学特征参数的数学表达式,提出了探针光学特征参数的验证方法。结果显示,当无芯光纤和GRIN光纤镜头长度分别为0.48mm和0.17mm时,理论计算的工作距离和聚焦光斑尺寸分别为1.05mm和28.2μm;实验测得的工作距离和聚焦光斑尺寸分别为1.0mm和28μm。理论计算与实测结果吻合,验证了GRIN光纤探针光学特征参数及其解析方法的有效性。     

移动式电子系统总体设计与电气布局

介绍了电子设备方舱基本总体设计流程及其相关的基本原则．论述了电气总体设计与电源选择、电磁兼容以及电缆布线设计、布线施工一致性的关系．提出了电子设备方舱总体设计的基本方法,并举例说明通过电缆布线设计解决电磁兼容问题的方法．     

DESIGN OF TWO-PHASE SINUSOIDAL POWER CLOCK AND CLOCKED TRANSMISSION GATE ADIABATIC LOGIC CIRCUIT

First the research is conducted on the design of the two-phase sinusoidal power clock generator in this paper. Then the design of the new adiabatic logic circuit adopting the two-phase sinusoidal power clocks--Clocked Transmission Gate Adiabatic Logic （CTGAL） circuit is presented. This circuit makes use of the clocked transmission gates to sample the input signals, then the output loads are charged and discharged in a fully adiabatic manner by using bootstrapped N-Channel Metal Oxide Semiconductor （NMOS） and Complementary Metal Oxide Semiconductor （CMOS） latch structure. Finally, with the parameters of Taiwan Semiconductor Manufacturing Company （TSMC） 0.25um CMOS device, the transient energy consumption of CTGAL, Bootstrap Charge-Recovery Logic （BCRL） and Pass-transistor Adiabatic Logic （PAL） including their clock generators is simulated. The simulation result indicates that CTGAL circuit has the characteristic of remarkably low energy consumption.