倾斜溅射制备TbFe薄膜的磁力显微镜研究

磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具广泛地应用于磁性薄膜的研究中.TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以具有较低的面内饱和场Hs,传统的成膜技术难以实现这一目标,采用倾斜溅射方法制备TbFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs.通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向,而取向于平行膜面.本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构.发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得到的易轴方向发生偏转的结果相吻合.     

万能工具显微镜测量数据自动采集及处理系统

应用计算机技术对万能工具显微镜进行改造 ,实现了测量数据的自动采集及处理。本文说明了该系统的软硬件实现方法     

纳米样板的制备及其精度分析

介绍了纳米样板的研究现状及制备工艺，特别对扫描探针显微镜(SPM)表面局域氧化反应工艺进行了详述；分析了原子力显微镜(AFM)探针诱导局域氧化工艺的原理及其影响参数，原理为高度局域化的电化学反应，影响参数包括探针上所施加的电压、扫描速度、探针曲率半径、相对湿度以及氧化物厚度等；用该方法分别制备了5条栅线和7条栅线的一维纳米结构样板，并对7条栅线的纳米结构样板的精度和不确定度影响因素进行了分析。     

72A硬线钢拉拔横向断裂原因分析

用金相显微镜和显微硬度计分别观察和测量了拉拔过程中发生横向断裂的72A硬线钢组织与硬度。在钢丝断口处存在尺寸较大的卷渣缺陷；钢丝表层存在硬度高于正常索氏体组织的非索氏体组织；并在钢丝中观察到沿索氏体分布的魏氏铁素体组织。这些组织和缺陷引起应力集中、并使钢丝表层与心部的拉拔变形严重不一致而导致钢丝发生横向断裂。     

基于AFM成像的DNA长度的计算机统计处理

利用计算机图像处理技术 ,对自然沉积DNA和拉直DNA分子AFM图像的长度进行了自动统计测量 ,并与DNA分子的理论长度进行了比较。该方法在DNA分子的AFM图像的基础上 ,将DNA分子拟合成曲线 ,用插值法求得DNA分子长度 ,整个过程实现了自动化。结果表明 ,该方法测得自然沉积的某DNA分子长度为 (180 .4± 16.4 )nm ,与理论长度 185 .0nm相当符合。该方法与拉直法和直接法求DNA分子长度相比是一次改进 ,也为其它基于AFM图像的线状物体求长度提供了一种新的测量方法。对另一组拉直DNA测量的结果表明 :拉直后DNA分子长度为 (34 3.6± 2 0 .7)nm ,与理论长度 30 7.0nm相比明显变长 ,这表明对自然沉积DNA进行长度测量的必要性 ,保证了DNA分子的长度不受拉直后有所伸长的影响。     

低碳钢固态相变过程的原位观察

利用共焦激光扫描显微镜（CSLM）原位观察了低碳钢升温及降温过程中的固态相变,直接观测出升温时低温铁素体（α）到奥氏体（γ）以及奥氏体（γ）到高温铁素体（δ）的相变温度,和降温时δ到γ以及γ到α的相变温度。结果表明,随着升温速率从75℃／min升至130℃／min,α—γ相变开始温度从961．6℃升至1014．0℃、γ→δ相变开始温度从1351℃升至1386．9℃;降温时随着降温速率的增大（70℃／min增至530℃／min）,γ—α相变开始温度从871．6℃降至858．4℃。在升温速率为130℃／min的情况下,随着升温最大值的提高（1300℃至1480℃）,γ—α相变温度降低,相变开始温度从895．2℃降至858．4℃。     

制作花粉样片校准双光子荧光显微镜放大倍数及示值误差方法

主要介绍了制作花粉样片校准双光子荧光显微镜的放大倍数及示值误差的方法。通过对双光子荧光显微镜的构成及其工作原理的分析,在用传统方法不能实现对系统的放大倍数及示值误差进行校准的情况下,研发制作了一套标准花粉样片,用样片作为标准参照物对双光子荧光显微镜的放大倍数及示值误差进行校准,并通过不确定度分析对该方法的可靠性进行了验证。     

用Interphako干涉显微镜测量离子交换玻璃薄片中的梯度折射率分布

本文用 Interphako 干涉显微镜测量了经 NaNO_3盐浴处理的玻璃薄片中的梯度折射率分布。将剪切微差干涉测得的结果与剪切干涉的结果进行了比较,并讨论两种测量方法的特点和误差。     

基片温度对反应射频磁控溅射法制备掺杂CeO2电解质薄膜的影响

利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.     

一种精确测量ASTM标准圆形拉伸试样锥度的方法

介绍了ASTM标准中圆形拉伸试样主要部位的尺寸与要求。采用国产万能工具显微镜-投影法对试样在平行长度部位的锥度进行了测量。该方法简便易行,结果准确可靠,满足了标准要求,同时发挥了老设备的作用,保证了试样的加工精度。