全文获取类型
收费全文 | 4199篇 |
免费 | 407篇 |
国内免费 | 344篇 |
专业分类
电工技术 | 467篇 |
综合类 | 338篇 |
化学工业 | 211篇 |
金属工艺 | 265篇 |
机械仪表 | 372篇 |
建筑科学 | 164篇 |
矿业工程 | 184篇 |
能源动力 | 78篇 |
轻工业 | 107篇 |
水利工程 | 118篇 |
石油天然气 | 94篇 |
武器工业 | 48篇 |
无线电 | 968篇 |
一般工业技术 | 209篇 |
冶金工业 | 141篇 |
原子能技术 | 34篇 |
自动化技术 | 1152篇 |
出版年
2024年 | 75篇 |
2023年 | 217篇 |
2022年 | 217篇 |
2021年 | 269篇 |
2020年 | 166篇 |
2019年 | 204篇 |
2018年 | 93篇 |
2017年 | 107篇 |
2016年 | 127篇 |
2015年 | 152篇 |
2014年 | 269篇 |
2013年 | 183篇 |
2012年 | 245篇 |
2011年 | 218篇 |
2010年 | 214篇 |
2009年 | 246篇 |
2008年 | 217篇 |
2007年 | 240篇 |
2006年 | 202篇 |
2005年 | 192篇 |
2004年 | 171篇 |
2003年 | 161篇 |
2002年 | 131篇 |
2001年 | 118篇 |
2000年 | 88篇 |
1999年 | 77篇 |
1998年 | 72篇 |
1997年 | 55篇 |
1996年 | 41篇 |
1995年 | 40篇 |
1994年 | 34篇 |
1993年 | 27篇 |
1992年 | 22篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 20篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1980年 | 1篇 |
排序方式: 共有4950条查询结果,搜索用时 0 毫秒
71.
72.
为满足星载辐射计系统应用,提出了一款220 GHz次谐波混频器。基于平面GaAs肖特基二极管3D电磁模型,混频器电路和结构优化设计采用HFSS和ADS联合仿真实现。通过在50μm厚的石英基板上倒装反向并联二极管对以及采用纳米银胶将基板粘接在硅铝波导腔的工艺方式,设计并加工实现了一款210~240 GHz分谐波混频器,单边带最小变频损耗仿真结果为7.33 dB,实测变频损耗优于9.6 dB。按照某卫星规定的各项环境试验条件验证其在不同环境条件下的性能,结果证明该混频器试验前后一致性较好。 相似文献
73.
74.
通过调节Zr^4+/Ti^4+比对La^3+、Sr^2+掺杂的PZST反铁电陶瓷进行分析,从中得到两种能用于电压调节器件的陶瓷材料。在20~80℃时,这两种材料的相变电场随温度变化不大。材料的反向开关时间为1~12μs,开关时间随反向相变电场的升高而减小,且与样品的尺寸有关。 相似文献
75.
76.
在集成电路中,稳压二极管的器件结构和工艺方法有很多种,它们的器件特性、工艺特征、工艺控制方法各不相同。文章对各种集成稳压二极管的结构和工艺方法分别进行了分析和研究,包括稳压二极管的反向击穿点、稳定电压的离散性和热稳定性、工艺集成的便捷性、关键工艺控制点等。通过这些研究,总结了这些稳压二极管的器件结构及其工艺方法各自的利弊,为工程人员设计、研究和开发集成有稳压二极管的技术平台提供了一些参考方向。 相似文献
77.
根据ATM无线链路组网需求,提出了适合无线链路反向复用的编码及动态容量调整技术。该技术适用于利用微波、散射和卫星等传输手段进行ATM/MPLS无线机动组网,编码纠错门限为2×10-3,当通信节点无线传输距离增大或信道传输质量变恶劣时,通过动态容量调整技术自动降低信号速率以提高业务传输质量,该项技术特别适合新一代宽带网络。 相似文献
78.
利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。 相似文献
79.
由于抗反向过压或过流冲击能力不足而导致的功率肖特基势垒二极管(SBD)的潜在失效,会影响电路的可靠性,也是器件制造中最难解决的问题.根据SBD特点和应用要求,给出了静电放电(ESD)、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量三种抗反向过电应力(EOS)能力的量化检测方法.针对三种检测方法的特点,明确了失效机理,并从工艺参数、器件结构等方面给出了解决办法.以2 A 100 V SBD芯片为例,通过器件仿真、流片验证,给出了通过p+保护环结深、p+结浓度、外延层厚度、保护环面积等工艺和结构参数改善ESD、反向浪涌电流冲击、单脉冲雪崩能量的方法.提出了一种p+-p-保护环的结构,可提高功率SBD的抗反向瞬态冲击特性. 相似文献
80.