砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系

利用SEM、EDX研究砷化镓气相外延层表面缺陷与衬底缺陷的关系,进一步揭示了砷化镓衬底缺陷对砷化镓外延层质量的影响。     

一种制备LED器件出光结构的方法

成果描述：本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法,属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是,在图形的蓝宝石衬底（PSS）Z生长GaN外延片,然后使用周长为3-1000微米,且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描,将GaN外延片与具有图形的蓝宝石衬底剥离,制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构复合的LED器件出光结构。     

计算机应用技术的区域制约性分析与思考

以计算机应用技术在区域范围内的推广与应用为研究主题,较为详细地研究了区域特性、计算机应用技术的区域制约性,以及解决瓶颈制约问题的对策与方法,力图在深入研究的基础上,促进区域内计算机科学与技术的推广与应用工作。     

磁性Zr基MOFs材料的合成及吸附水中磷的性能研究

基于液相外延生长原理,采用自组装法合成了磁性氨基功能化MOFs材料Fe₃O₄@NH₂-UiO-6(Fe-NUiO(Zr)-005),对其进行了XRD、FTIR、SEM和BET等表征分析,研究了其在水体中对磷的吸附性能,探讨了吸附除磷的机理。结果表明,在Fe₃O₄上自组装生成了具有介孔结构的纳米磁性复合材料Fe-NUiO(Zr)-005,其比表面积大,稳定性高,该材料适应磷溶液的pH(3.0～9.0)宽,吸附效果良好,吸附过程符合Langmuir模型,饱和吸附量达71.94 mg·g^-1。材料吸附磷的平衡时间为200 min,吸附过程符合伪二级动力学方程,且受到了多种机制的影响。在实际水环境和共存离子(Cl^-、SO₄^2-和NO^-₃)中应用时,吸附剂呈现出较强的抗干扰能力,其具有较高的吸附低浓度磷的潜力。材料能够循环使用至少5次,Fe-NUiO(Zr)...     

测定外延层电阻率的面接触方法研究

评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C。Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出了面接触方法雪崩击穿电压V_(Ba)~∞(V)及点接触方法雪崩击穿电压V_(Bp)~∞(V)的比值为V_(Ba)~∞=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为t_(min p)(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度t_(mina(μm)的比值为t_(minp)/t_(mina)=2.565。在实践上,为证实两种模型的功能,利用两种探针进行了对比测试。一种是通常被采用的点接触锇尖探针:另一种是利用φ0.8±0.1mm的银针,在银针顶上吸上φ0.4±0.1mm的汞球,以实现面接触。理论和实验吻合良好。     

控制策略在现场实现和现场总线系统结构问题的讨论

对控制策略在现场总线现场设备实现在性能和可靠性的影响进行了仿真分析,这些分析在实际应用中已得到了印证。简单介绍了故障树形分析法并分析系统结构对可靠性影响。     

荧光衬底可望用于生产无磷光体LED

由于GaN衬底缺乏，难以生产高质量GaN外延材料。解决这一问题的较好办法之一是使用ZnO衬底，这是因为：ZnO衬底与外延层之间有较好的晶格匹配而且它可设计出新的器件结构。ZnO与GaN、InGaN有相同的六角晶体结构，其结晶学空间群同为“P63mc”。GaN与ZnO之间的晶格失配为2．2％，而ZnO与InGaN（In组份18％时）之间是完全匹配的。     

一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.     

Fabricating Buffer Layers for YBa2Cu3Oy Coated Conductor by Surface Oxidation Epitaxy

Coated conductor of YBa2Cu3Oy(YBCO) withhighsuperconducting critical current (IC)is promisingfor many applications . To decrease weak link andlarge grain boundary angle it is i mportant to achievebiaxial textured YBCO.Sofar ,a fewtechniques havebeen appli…     

激光分子束外延BaTiO3/SrTiO3超晶格的晶格应变研究

采用脉冲激光分子束外延(PLMBE)方法,通过优化的工艺参数,在SrTiO3(100)单晶基片上外延结构为(8/8)的BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜.综合利用反射式高能电子衍射系统(RHEED)、高分辨率X射线衍射(HRXRD)以及高分辨率透射电镜选区电子衍射(SAED)技术,研究超晶格薄膜的晶格应变现象和规律.研究结果表明,在制备的BaTiO3/SrTiO3超晶格薄膜中,BaTiO3晶胞面外晶格增大,面内晶格减小;而SrTiO3晶胞面内及面外方向晶格都被拉伸,但面外晶格拉伸程度较大,SrTiO3晶胞产生了与BaTiO3晶胞方向一致的四方相转变.