白云鄂博尾矿变身新型复合材料 硬度接近金刚石

12月19日,内蒙古科技大学披露：利用白云鄂博尾矿、钢渣、铁渣及粉煤灰等固体废弃物研制并生产出500吨同时具备玻璃陶瓷与金属性能的纳米级微晶玻璃复合管材。这种新型材料目前国内外未见报道,国家有关部门将此材料作为国家标准于12月10日进行公示。     

制霉菌素+氧化锌油治疗成人尿布皮炎的疗效观察

目的:制霉菌素+氧化锌油治疗成人尿布皮炎的疗效观察.方法:对71例老年尿布皮炎患者使用制霉菌素+氧化锌油进行治疗的疗效观察的回顾性分析.结果:皮疹由鲜红色转暗红色,肿、痛明显减轻为24h;皮疹及肿痛消失、皮肤脱屑的时间为48h;溃疡愈合,糜烂、破损皮肤干燥、结痂所用时间为72h.痊愈68例占95.8%,其中一例死亡;一例自动出院;一例转院.结论:尿布接触性皮炎的发生、发展与真菌和细菌的感染有密切关系,氧化锌油与制霉菌素的联合应用弥补了单独应用氧化锌油抗菌能力不足及单独应用制霉菌素不易黏附的不足,因此,用于治疗老年尿布皮炎能收敛、保护皮肤,加快红肿消退,促进炎症消退,提高尿布皮炎的治疗效果.     

新型纳米级涂料提升半导体散热效率

美国西北太平洋国家实验室(Pacific Northwest National Laboratory)以及奥勒冈州立大学(Oregon State University)的研究人员称,一种新研发的纳米级涂料能大幅提升半导体等器件的散热效率。在一种‘裸'铝基材的纳米结构化表面,我们观察到以10倍速改善的热传     

合成氧化锌纳米粒子形貌的调控机理和方法

纳米ZnO作为一种重要的宽带隙半导体材料,具有与体材料明显不同的电、磁、光等性质,逐渐成为研究的热点并得到广泛应用。氧化锌纳米粒子的形貌对其性质和应用具有重要的影响。介绍了纳米氧化锌粒子制备过程中形貌调控的机理和主要方法,并讨论了氧化锌纳米粒子制备的发展趋势和研究方向。     

ZnO单晶的KOH碱液法生长和表征

采用自发成核方法,以KOH碱液作助熔剂,在银、镍和铁坩埚中分别生长了透明、棕绿色和棕色的纤维锌矿氧化锌单晶。X射线衍射和电感耦合等离子体原子发射光谱分析表明:晶体的颜色与所含的杂质有关,这些杂质来源于所使用的坩埚。采用光致发光(photoluminescence,PL)光谱对所生长的晶体进行了表征,结果显示,从银坩埚中生长的氧化锌晶体质量较高,其室温下用325nm波长光激发的PL光谱显示381nm强的紫外发射峰。在此基础上,从200mL银坩埚中生长出了尺寸为φ3mm×34mm氧化锌晶体。     

220kV氧化锌避雷器不拆引线的预试分析

氧化锌避雷器(MOA)采用不拆高压引线的预试方法,可以提高试验工作效率,节省人力、物力,减少停电时间,更好地保障人身及设备安全,介绍了220kV避雷器采用拆线和不拆线的两种试验方法,以及采用不拆线试验时应注意的事项。对220kV的MOA实测结果表明:两种试验方法所得的数据相差很小,可以确定不拆线试验方法是可行的。     

高压变频器在尾矿输送系统改造中的应用

分析了尾矿输送系统中的能源浪费现象,提出了选用高压变频器对初级泵站的改造方案。介绍了高压变频器在尾矿输送中的设计与应用,并对其方案进行了可行性及经济效益的分析论证。     

高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。     

飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面获重要进展

<正>最近,在中国科学院院士徐至展领导下,中山大学光电材料与技术国家重点实验室与中国科学院上海光机所强场激光物理国家重点实验室展开合作研究,采用飞秒激光烧蚀技术成功地在氧化锌、硒化锌等宽带隙     

ZnO/Si纳米孔柱阵列的真空蒸镀及其光致发光特性

以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,通过采用真空蒸镀技术沉积金属锌,再在纯氧气氛中进行氧化退火的方法,制备出具有阵列特征的ZnO/Si-NPA异质结构材料.研究发现,ZnO/Si-NPA的表面形貌、结构和光致发光特性强烈依赖于氧化退火温度.当氧化退火温度低于400 ℃时,样品的发光主要来自于Si-NPA衬底;当氧化退火温度高于700 ℃时,样品的发光主要来自于ZnO薄膜;经过600 ℃氧化退火的样品则同时包含有来自于Si-NPA和ZnO薄膜的发光.上述结果表明,通过控制ZnO/Si-NPA制备过程中的氧化退火温度,可以在一定程度上实现对其光致发光谱的有效调控.这对未来制备具有特定功能的半导体光电器件具有重要的实际意义.