应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.     

铯分子亚稳电子态中高位振动态的产生和弛豫

研究了Cs2[13Πu(v)]和Cs原子间的振动能量转移.利用激光感生荧光(LIF)探测Cs2[13Πu(v)]的弛豫过程,由时间分辨LIF的对数描绘得到振动态的有效寿命,从不同Cs原子密度下的有效寿命利用Stern-Volmer公式得到振动能级的弛豫率,速率系数随v的增加而增大.从相邻二振动能级的布居密度之比得到振动...     

烧结温度对Zn-Nb共掺Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷微结构与介电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Zn、Nb共掺杂Ba(Zr0.1Ti0.9)O3陶瓷,通过 XRD、SEM 等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结温度对陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明：样品为单一的四方相钙钛矿结构,随着烧结温度的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数（γ）先增加后减小。当陶瓷的烧结温度为1 280 ℃时,陶瓷的平均晶粒尺寸约为3 ?m、密度（6.034 6 g/cm3）与γ（1.909 2）达到最大值,室温相对介电常数（εr）和介电损耗（tanδ）分别为14 849和0.37%。     

高性能低碳贝氏体钢的组织细化技术及其应用

综述了新一代高性能(屈服强度500～700 MPa级)贝氏体钢系列组织控制与形成超细组织的物理冶金原理及工艺技术的发展情况,系统论述了Mn-Mo-Nb-B低碳微合金钢的组织特性、形成温度区间,阐明了中温转变组织超细化的基本理论思路及弛豫-析出-控制相变技术的基本原理,介绍了组织控制与超细化技术在提高低碳微合金钢性能上的应用.     

飞秒瞬态吸收光谱技术及应用

超快激光技术的出现极大地促进了人们对众多研究领域中超短时间尺度(例如飞秒)的微观过程的深入理解.详细介绍了基于飞秒时间分辨的瞬态吸收光谱技术与原理,并结合本课题组的工作,展示了该方法在凝聚相分子体系中量子态演化过程及其相互作用研究中的应用,特别是对激发态电子能量弛豫、波包演化过程、能量转移过程、质子/电荷转移以及分子激...     

多元微合金钢中的应变诱导复合析出

采用透射电子显微镜结合纳米束能谱技术,研究了含Nb,Ti,Mo等多种微合金元素的超低碳贝氏体钢在奥氏体非冉结晶区终轧后弛豫阶段的应变诱导析出行为.实验结果表明:经30%预变形后,在850℃和900℃等温弛豫时,钢中析出开始主要有纯Nb及Nb-Ti复合的两类,以后者为主.随弛豫时间延长,纯Nb型析出物消失,复合夹杂中铌钛比增加.弛豫阶段后期,Mo会以置换原子形式进入(Ti,Nb)(C,N)的面心立方晶格中,其量随弛豫时间的延长而增加.析出物形状以不规则外形为主,其密度及平均尺寸与变形温度和弛豫时间密切相关.     

贝氏体组织细化的RPC工艺参数优化

利用热模拟技术研究了不同弛豫-析出-控制相变(RPC)工艺对含Nb,Ti低碳微合金钢最终组织的影响,结合半定量金相统计、电镜观察及EBSD技术分析了弛豫过程晶体缺陷组态与析出变化及相互作用规律.结果表明,经RPC艺处理后,试验钢组织得到了有效的细化,主要为超细的贝氏体马氏体复合组织,当变形量增加,组织细化效果较好,出现最佳效果的弛豫时间缩短.终轧温度升高,细化效果减弱.从综合效果来看,当工艺参数的选取可以使弛豫析出速度与位错多边形化演变速度相匹配时,细化效果最佳.     

强电场作用半导体非平衡载流子输运的瞬态特性研究

根据量子统计理论,结合材料的晶格结构和能带特点,研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性;分析了电子-声子相互作用的微观状态和弛豫过程,对强电场作用下非平衡载流子的分布函数、弛豫过程及输运过程的非线性特性和瞬态特性进行了研究,揭示出非平衡载流子的微观相互作用及瞬态输运机理.     

BaTi1-xSnxO3系铁电体的相变弥散与介电弛豫

用固相反应法制备了BaTi1-xSnxO3(0.15≤x≤0.30)系铁电陶瓷.研究了它们的介电常数与温度和频率的关系,发现BaTi1-xSnxO3经历了一个由单纯相变弥散铁电体到弛豫型铁电体的变化过程.数据分析表明,BaTi1-xSnxO3系铁电材料是否出现介电弛豫与最大介电常数值对应的温度Tm以上一段温度区间内的介电弥散程度存在对应关系.研究还发现,将交变测量电压由1 Vrms提高到20 Vrms时,可以使BaTi1-xSnxO3陶瓷的Tm向低温方向移动.     

偏压下弛豫型铁电陶瓷有效介电系数稳定方法的研究

本研究利用调整有效介电常数的互补公式