强磁场对非线性光学晶体ZnGeP_2生长及性能的影响

按化学计量比并富P2%配料,通过改进的单温区合成法合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料,在无磁场、6 T匀强磁场和上、下梯度磁场条件下,使用坩埚下降法成功生长出ZnGeP2单晶。研究表明,施加6 T匀强磁场和上、下梯度磁场后,ZnGeP2晶体依次沿(116)、(112)和(220)取向,与无磁场下晶体取向不同;ZnGeP2晶体成分沿纵向方向在强磁场中比无磁场中波动明显;红外透过率在匀强和上梯度磁场中均有明显提高,下梯度磁场中变化不明显;电阻率在匀强和上梯度磁场中有所下降,而下梯度磁场中则有所升高。     

定向凝固Ag掺杂Mg3Sb2合金热电性能

通过定向凝固方法可以高效制备Mg₃Sb₂晶体,根据凝固理论计算了平界面生长临界速率,在此速率下可以有效抑制第二相Sb的析出。对不同的凝固速率下的Mg₃Sb₂晶体微观组织进行了分析,表明凝固速率为5μm·s^-1时可以有效减少Mg空位的出现,并在晶体中获得过量Mg原子,有利于更好地提升热电性能。通过消除晶界和Ag元素掺杂有效提升了Mg₃Sb₂晶体的载流子迁移率和浓度,在测试温度区间(300～800K)内,最大电导率值可达309S·cm^-1,同时保持了较高的Seebeck系数值,从而获得了更好的电子传输性能(PF_max=1.2mW·m^-1·K^-2),通过Hall测试和第一性原理计算对此结果进行了验证。Ag掺杂浓度为2.5at%下相应的热电优值最高可以达到0.67,此方法为Mg₃Sb₂基热电材料性能优化提供了新的...     

急冷条件下Cu-Sn合金的快速枝晶生长

研究快速凝固Cu-xSn（x=7％，13．5％，质量分数）合金的相结构、组织形态和枝晶生长特性，将金属熔体热传导方程与Navier-Stokes方程相耦合，从理论上计算液态合金的冷却速率。结果表明：在急冷快速凝固条件下，Cu-7％Sn合金形成过饱和的单相α-Cu固溶体组织：Cu-13．5％Sn合金形成以亚稳的Cu137Sn相为主相、α-Cu为第二相的快速凝固组织：随着冷却速率的增大，溶质截留效应增强，合金相结构由复相向单相转变；沿垂直于辊面方向上合金的组织形态依次为近辊面细小等轴晶、中部柱状晶及自由面粗大等轴晶：增大冷却速率，晶体形态由柱状晶向等轴晶转变：在急冷快速凝固过程中，α-Cu和Cu137Sn相均以枝晶方式生长；随温度梯度的增大，晶体生长速率呈线性增大。     

磷锗锌单晶生长装置的设计与优化

根据磷锗锌（ZnGeP2）晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设计与优化。在经优化的温场中进行ZnGeP2单晶生长,获得了尺寸达20 mm×30 mm、外观完整的单晶体。     

水热法制备纳米Al2O3的应用前景

介绍了水热法的特点，揭示了晶体生长的规律。总结和概括了纳米Al2O3的优异性能和用途，阐明了开发纳米Al2O3新产品的意义。提出了用水热法制备纳米三氧化二铝的新思路，分析了纳米氧化铝的应用前景。     

闪烁晶体各向异性效应的研究动态

闪烁晶体是核辐射探测器中的重要材料,具有密度大、光输出高、均匀性好以及衰减快等优点,广泛应用在医疗卫生、安全检查、高能物理、油矿勘探等领域。同一闪烁晶体经常表现出较大的性能差异,人们通常将其归因于晶体制备工艺的差异,而容易忽略晶体各向异性对晶体性能的影响。随着PbWO4、Lu2Si2O7:Ce、LaBr3:Ce和LaCl3:Ce等非立方相晶体的出现,闪烁晶体的各向异性效应越来越受到重视。论文综述了闪烁晶体的各向异性研究,分析了闪烁晶体的各向异性效应对晶体应用的影响。     

搅拌条件下二元合金凝固组织的形态演化

采用SCN-5％Water（原子分数）透明模型合金和Sn-15％Pb（质量分数）合金对机械搅拌条件下凝固组织形态演化过程分别进行了实时动态观察和淬火金相组织分析．实验结果表明,在强烈机械搅拌作用下,两类实验合金在凝固过程中最早观察到的初生组织均为球晶组织．从实验上证实了通过适当的搅拌可直接获得球状晶组织;同时,在实验条件范围内,搅拌的进行还可促进球晶组织在相对较高温度下产生．根据凝固界面形态稳定性理论对球晶组织形成机制的分析表明：熔体中初生固相的旋转运动有利于提高液-固界面的稳定性,促进凝固组织保持球状稳定生长．     

晶态介孔金属氧化物的研究进展

用氧化硅介孔分子筛SBA-15,KIT-6,FDU-12和SBA-16作为模板,在其孔道中生长各种过渡金属氧化物,最终产物是晶态的介孔金属氧化物.这种材料具有广泛的应用前景.电子显微镜是研究这些新型纳米材料不可或缺的手段.本文简述介孔金属氧化物的合成和结构鉴定,以及该研究领域的最新进展.     

关注企业品牌的影响力

<正>西安理工大学工厂是国内单晶炉与其他晶体生长设备的骨干企业。自1961年研制成功我国第一台单晶炉以来,已有40余年艰苦创业的历史,累计生     

InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备

对于磷化铟(InP)的合成来说,合成的时间越快、纯度越高,合成熔体的配比度越高、熔体的利用率越高,合成量越大、成本越低。为实现InP的快速大容量合成,分析了注入合成的物理条件、气体传输过程、界面反应机理和注入气泡速率对合成的影响。通过对机理的分析,优化了注入合成条件和冒泡速率,提高了注入合成过程的可控性,在3 h内合成了10 kg高纯InP多晶,通过直拉法进一步提拉生长,最终制备的InP多晶载流子浓度≤2×10¹⁵ cm^-3,迁移率>4 500 cm²·V^-1·s^-1,为实现大尺寸单晶批量化制备奠定了基础。