旋振系统动力学分析设计

从理论上分析了旋振系统的动力学问题，在所抽象出的力学模型的基础上给出了振动体系的主要参数设计计算方法。     

福建物构所硼酸盐晶体生长技术取得重要突破

由中国科学院福建物构所叶宁研究员主持的“新型可见紫外光区变频晶体与器件”，近日通过了福建省科技厅组织的技术成果鉴定。鉴定专家委员会一致认为，该项目总体技术达到国际先进水平，其中大尺寸YLSB和采用钨酸盐为助熔剂的YAB晶体生长技术取得重要突破，达到国际领先水平。     

电子材料

提升OLED发光效率磁性掺杂技术显神威；康宁扩充在华光纤生产厂；国产新型12英寸无位错硅单晶生长设备研制成功；中科院物理所合作建立国内首条碳化硅晶片中试生产线；NEC小型薄型高频砷化镓开关IC用于高速无线通信……     

矿山微生物为什么能适应严酷自然环境

酸性矿山排出物的形成是最普遍和最严重的环境问题之一，是由微生物群落调控的，这些群落经常为Ⅱ-类钩端螺旋菌属所支配。这些微生物生长在pH值一般低于1．0、富含有毒金属的硫酸溶液中。来自美国加州IronMountain被废弃的Richmond矿的生物膜，是研究这些重要微生物群落的理想材料，因为它们所包含的物种数量相对很少。     

锗：从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片

锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来，在新型晶体管和光电应用方面，Ge又引起了人们的重视。     

在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件

日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb／InAs HEMT结构，其迁移率高达27300cm^2／V．s，该种结构将用于逻辑电路，它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段]     

LF泡沫精炼渣脱硫动力学的实验研究

对CaO -Al2 O3 -SiO2 系泡沫精炼渣进行了实验室脱硫动力学研究 ,得到的硫传质系数为 1.45 9× 10 -5m s。还就泡沫精炼渣中发泡剂对其脱硫能力的影响进行了研究。     

半导体衬底片的应力损伤及其行为

本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。     

国际放射防护委员会的剂量系数的可靠性

在评价公众成员摄入放射性核素的辐射危害时，需估算每单位摄入量所致的剂量。摄入放射性素后器官或民受到的剂量是受到的剂量是通过生物学模型和剂量学模型来确定的，因此剂量也必须根据模型来确定。文中初步探讨了国际放射防护委员会给出的剂量系数的可靠性问题。文中首先说明了估算剂量系数的概念和方法，然后分析了剂量系数估算中，采用胃肠道模型，呼吸道模型，系统生物动力学模型和剂量学模型所遇到的不确定度的各种主要来源。     

自蔓延高温合成理论研究与进展(Ⅱ)

简要介绍了固体火焰现象的科学发现和发展。系统地阐述了ＳＨＳ的体系类型、燃烧方式、燃烧机理、燃烧热力学、燃烧理论与数学模型、结构宏观动力学、燃烧化学合成和高温下的化学反应动力学理论研究的历史与现状。简要介绍了相关实验方法及进展