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锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。 相似文献
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日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb/InAs HEMT结构,其迁移率高达27300cm^2/V.s,该种结构将用于逻辑电路,它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
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本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。 相似文献
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在评价公众成员摄入放射性核素的辐射危害时,需估算每单位摄入量所致的剂量。摄入放射性素后器官或民受到的剂量是受到的剂量是通过生物学模型和剂量学模型来确定的,因此剂量也必须根据模型来确定。文中初步探讨了国际放射防护委员会给出的剂量系数的可靠性问题。文中首先说明了估算剂量系数的概念和方法,然后分析了剂量系数估算中,采用胃肠道模型,呼吸道模型,系统生物动力学模型和剂量学模型所遇到的不确定度的各种主要来源。 相似文献
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