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991.
提出了一种计算降阶节点电路方程中的支路电流的方法,主要解决Vs(无伴电压源)支路、互感群中的自感支路及理想运放输出支路的电流计算问题,特别适合用于电路计算机辅助分析,较全面地解决了该方法所涉及的问题 相似文献
992.
应用动态规划法综合求取有载调压变压器分接头、配电站电容器和馈线电容器的控制策略,实现电压控制和无功优化,并满足控制调节次数约束. 为了减少计算量,提出了一种启发式的简化算法. 算例结果表明了算法的有效性及可行性. 相似文献
993.
吴观曙 《安徽水利水电职业技术学院学报》2004,4(4):61-62,68
详细分析主等电位、辅助等电位联结的作用,指出等电位施工存在的问题及解决途径. 相似文献
994.
为了在兼顾特征频率( fT )和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压( BVCBO/BVCEO ),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区SiGe异质结双极晶体管( heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明:通过在集电结空间电荷区( collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低“死区”内的电场强度,使较高的电场强度转移至“死区”外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度( dp )的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值( fT ×BVCEO ×β)的新型超结集电区SiGe HBT.结果表明:与传统SiGe HBT相比,新器件的fT ×BVCEO ×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率SiGe HBT的高压大电流工作范围. 相似文献
995.
本文介绍了一种多功能的串行EEPROM芯片—X25045的特点和使用方法;该芯片除具备通常的串行电可擦写非易失性存储功能外,还具有可编程看门狗电路和电源电压监视功能,可广泛应用;本文还结合它与51系列单片机的接口电路,给出了操作X25045的实用程序。 相似文献
996.
997.
张铜磊蔡坤 《重庆科技学院学报(自然科学版)》2020,22(1)
位于东海盆地西湖凹陷西北部的杭州斜坡带目前的勘探程度还较低。依据现有探井钻遇地层的有关分析数据,分析了杭州斜坡带烃源岩的品质、沉积环境、母质来源、沉积相特征。在杭州斜坡带钻遇的平湖组烃源岩级别为差等,宝石组烃源岩为差—中等。平湖组和宝石组烃源岩均发育于弱还原的沉积环境,母质主要以浮游动植物和混合来源为主。平湖组地层表现出近源、粗粒、厚砂的辫状河三角洲沉积特征。宝石组地层表现出辫状河三角洲前缘—局限海沉积特征,向东在沉积相带上比平湖组更早出现局限海泥岩。下一步的勘探方向应向东扩展,向距离烃源中心更近、储盖组合更优越的地方转移。 相似文献
998.
对贵溪冶炼厂总降压110kV,系统开关断口电容与电磁式电压互感器出现操作串联谐振过电压分析,指出解决操作产生谐振的对策。 相似文献
999.
1000.