掺氮直拉硅单晶的研究和应用

掺氮直拉硅单晶是最早由我国实现产业化并系统研究的集成电路用基础材料，它具有容易消除微缺陷，低成本制备高质量内吸杂洁净区和增加机械强度等优点，这对大直径的现代集成电路用硅片尤其重要。经过10多年的研究和开发，掺氮直拉硅单晶的优越性能逐渐被国际硅产业界和集成电路产业界所接受，目前已经在国际硅工业界相当广泛地使用，成为国际上硅单晶的一个重要新品种。     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

硅晶片切割损伤层微观应力的研究

作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力，在一定范围内，切割速率越大，损伤层的微观应力越小，并运用Ｖｏｉｇｔ函数分析法，分析了硅晶片切割层的微观应力。     

基于多目标人工鱼群算法的硅单晶直径检测图像阈值分割方法

为提高对硅单晶直径检测图像高亮光环的分割精度, 提出了一种基于多目标人工鱼群算法的二维直方图区域斜分多阈值分割方法.首先设计了一种多目标人工鱼群算法, 并且改进了快速构造Pareto非劣解集的方法, 然后以最大类间方差和最大熵同时作为测度函数, 搜索最优的二维直方图区域斜分分割阈值.仿真结果表明, 所设计的多目标人工鱼群优化算法具有较高的搜索精度, 硅单晶直径检测图像分割实验结果表明, 提出的改进二维直方图区域斜分多阈值分割方法对高亮光环具有较高的分割精度.     

硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响

通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×10¹⁸~1.87×10¹⁸atoms/cm³及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。     

微电子化学试剂

大规模集成电路单晶硅片制作过程中需要大量的相关材料和化学品；其中需要大量的高纯和超净化学试剂，即微电子化学试剂，又称MOS试剂。本文对微电子化学试剂的市场及其开发应用的进展作了简单介绍。     

用PMCZ法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性

用永磁体环形磁场直拉（PMCZ）炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅。在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动，降低以至消除微观生长速率的起伏。在用PCMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低，杂质的径向分布均匀性好。简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理。     

试述计数板的抗干扰设计

8253可编程计数/定时器,有三个计数器是独立的16位减法计数器。计数器在编程写入初始值后,在某些方式下计数到0后自动预置,计数器连续工作。本文从硬件方面介绍了以8253可编程计数/定时器芯片设计的控制板,作为单晶炉等径生长控制系统中晶体生长的主要控制部件,在抗干扰设计方面所采取的技术。     

采用磁场拉晶技术改进太阳能级硅单晶质量

在当前世界常规能源短缺的情况下，太阳能光伏发电等绿色能源普遍得到各国政府的重视和支持。20世纪90年代以来，特别是最近10年，光伏产业进人了快速发展时期，市场需求急剧扩大，光伏产品供不应求，但与此同时，市场也对以硅为代表的半导体晶体的纯度、品格完整性和杂质含量等提出了新的、更高的要求，那么，如何提高晶体的质量是摆在我们面前的一个亟待解决的现实问题。     

CZ重掺锑硅单晶和锑和氧杂质

介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发，氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些解决办法。