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天津市环欧半导体材料技术有限公司 《中国集成电路》2008,17(4):18-19
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果.2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利,专利号ZL200610013497.6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。 相似文献
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对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄。当RTP温度达到1280℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑。 相似文献
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硅单晶市场分析 总被引:2,自引:0,他引:2
随着二十一世纪的到来,全球经济在信息产业的蓬勃发展中快速前进,这其中要得益于电子信息材料技术的提高及新材料的应用。由半导体材料及辅料、光电子材料和新型元器件用材料组成的三大系列,涵盖了现代信息新材料领域的主要方面。信息新材料作为现代信息产业的基石,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术的发展。 在当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中,95%以上的半导体器件是用硅材料制作的,集成电路的99%以上是用硅制作的。相对于其它半导体材料,硅具有廉价丰富、易于生长大尺寸高纯度晶体及热性能与机械性能优良等优点。各国对硅单晶材料的消耗量反映了各国集成电路制造业 相似文献
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