我国硅单品生长设备的现状与发展

在世界太阳能光伏发电产业发展的带动下，我国的太阳能光伏发电产业得到了高速度的发展，相关支撑业的市场迅速扩大，在整个产业链中，作为太阳能电池材料制备的关键设备．硅单晶生长设备发挥了至关重要的作用。对于太阳能光伏发电产业的持续发展，硅单晶生长设备仍将要发挥重要的作用。     

快中子辐照直拉硅中的空位型缺陷

利用正电子湮没谱(PAS)及Fourier变换红外吸收光谱(FTIR)技术研究了快中子辐照直拉硅(CZSi)中辐照缺陷.研究发现,经快中子辐照后的硅中会有大量的单空位型缺陷VO及多空位型缺陷V2和V2O;经200～450℃热处理后,FTIR光谱中出现的720和919.6 cm-1红外吸收峰为单空位型缺陷,其正电子寿命与VO的寿命接近,约为290 ps;经450～600℃热处理后,随单空位型缺陷VO消失,V4型缺陷浓度迅速增加,600℃热处理后其浓度达到最大(相对浓度约为70％).     

初始埚位对单晶少子寿命的影响

在KX260晶体生长系统上装备24英寸(1英寸=2.54 cm)热场,装料量为120 kg。采用5种不同的初始埚位(-50,-60,-70,-80,-90 mm),其他工艺参数相同的晶体生长工艺,拉制了5根200 mm、p型、晶向〈100〉、电阻率2Ω.cm的单晶硅棒。待硅棒冷却后,取片进行少子寿命和氧含量的测试,根据所得数据分析不同初始埚位对少子寿命的影响。由分析结果得出结论:随着初始埚位的提升,单晶硅棒少子寿命逐渐降低。结合实际生产利润及硅片品质需要,最后得到最适合晶体生长的初始埚位是-70 mm。     

日本开发直径100mm的高品质碳化硅单晶片

新日本制铁公司开发出直径为100mm的高品质碳化硅（SIC）单晶片。该晶片将导致器件通电不良的微管缺陷控制在1个／cm^2以下,无微管区域在90％以上。     

混凝土直拉试验和三点弯曲断裂试验确定的软化曲线的比较

通过混凝土材料直拉和弯曲试验,分别取得了混凝土拉伸软化曲线,并对比分析了直拉试验和三点弯曲断裂试验结果。结果表明,直拉试验所得受拉峰值应力较三点弯曲断裂试验小,这是因为在三点弯曲断裂试验中,应变梯度提高了混凝土的受拉峰值应变,从而提高了受拉峰值应力;直拉试验所得断裂能比三点弯曲断裂试验略大。总体上看,两种试验所得混凝土软化关系相近。因此,三点弯曲断裂试验可代替直拉试验获得混凝土拉伸软化曲线。