Φ105mm区熔硅单晶设备改造

本文分析了“ＥＢＧ－６０”型高频感应加热装置的结构及一些问题，介绍了如何使其适用于控制Φ１０５ｍｍ区熔硅单晶的方法。     

直拉单晶炉循环冷却水水质控制

本文介绍了直拉单晶炉循环冷却水系统，对影响循环冷却水质的因素进行了分析，论述了控制循环水水质的一种方法，并对控制效果进行了说明。     

NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用

ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键词：区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，...     

位错密度对大块Fe—3%Si单晶延—脆转变温度的影响

实验证明位错密度有两个量级差异的Ｆｅ０３％Ｓｉ单晶体的延－脆转变温度几乎不变，但与Ｆｅ－３５Ｓｉ多晶体的转变温度比较相去甚远。     

内蒙可以生产14-18 in P〈100〉半导体级大直径硅单晶

神秘的硅产业其实早已渗透在我们的日常生活中,电视、电脑、冰箱、电话、汽车。处处离不开单晶硅材料,而内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司生产的单晶硅产品主要运用于太阳能发电和光伏领域。近日,内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司攻克了拉制大直径半导体级硅单晶所使用的石墨热系统．可以生产14～18 in P〈100〉半导体级大直径硅单晶。     

微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化

采用升华法生长调制掺氮的6H-SiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长阶段近似平坦的形状。发现近似平坦的生长前沿有利于单晶质量的提高。透射光学显微镜观察发现,若微管的延伸方向与6H-SiC晶体的[0001]方向偏离角度较大时,微管变得不稳定而离解消失;微管也可终止于六边形空洞或硅滴处。氮元素掺杂可使6H-SiC晶体的晶格发生畸变,可导致产生新微管。     

电注入退火对P型直拉PERC单晶硅太阳电池电性能和抗LID效应的影响

以p型直拉PERC单晶硅太阳电池为研究对象,研究了电注入退火在不同的电流、时间和温度条件下,电注入退火前、后太阳电池的各项电性能参数的变化,以及经过5 kWh光致衰减(LID)实验后电池电性能参数的变化,实验均采用Halm电学性能测试仪进行测试和分析。结果表明,在目前的电注入设备条件下,以6.0A的电流在180℃温度下处理35min,最有利于p型直拉PERC单晶硅太阳电池由衰减态向再生态转变;电注入退火后,电池转换效率提升了0.8%;在经过5 kWh LID后,电池的转换效率相对于初始值仅降低了0.71%,证明电注入退火可有效降低p型直拉PERC单晶硅太阳电池的LID效应。