钽钨合金Si-Ti-Hf高温抗氧化涂层的制备及性能研究北大核心

钽钨合金(Ta-10W)具有较高的高温强度、优良的耐腐蚀性及良好的延展性、可焊接性,广泛应用于航空航天、原子能工业等领域,但在500℃时会出现"pest"氧化现象,成为制约其应用的主要因素,因此必须在其表面制备高温抗氧化涂层加以防护。主要采用料浆熔烧法,在钽合金表面制备出了均匀致密平整的Si-Ti-Hf硅化物涂层,涂层的各项高温抗氧化性能优异,可以有效保护钽钨基材免受氧气侵蚀。     

最新专利

<正>直接纺丝低起球聚酯毛型纤维长丝束的制造方法(申请号CN201510117130申请日2015.03.17申请人江苏江南高纤股份有限公司)本发明提供了一种直接纺丝低起球聚酯毛型纤维长丝束的制造方法,其特征在于在PET聚酯生产线的酯化后的齐聚物管线上注射添加TMP和/或四氢糠醇基硅化物类抗起球添加剂,PET聚酯重TMP质量百分比为0.5%~1.3%,四氢糠醇基硅化物类抗起球添加剂,质量百分比为1.1%~     

β相区热加工对原位TiB增强钛基复合材料组织和力学性能的影响

采用原位技术制备了体积分数5%的TiB增强钛基复合材料(Ti-6Al-5Zr-0.8Si)。通过光学显微镜(OM)、透射电镜(TEM)和室温拉伸等实验手段研究了不同变形量(n=1.71,2.12,2.53)热加工后复合材料的组织和力学性能。结果表明:随着变形量的增加,沿轧制方向的小角度TiB晶须密度快速增加,TiB纤维长径比逐渐降低。相比于铸态的复合材料,热加工后(n=2.53)纤维的分布密度值(θ接近于0)提高了约6.4倍,长径比降低了约59%;复合材料的原始β晶粒和α板条块尺寸随着变形量的增加而减小。热加工后(n=2.53)的β晶粒尺寸约为铸态晶粒尺寸的1/5。室温拉伸试验数据表明,相比于铸态复合材料,热加工后的复合材料(n=2.53)的屈服强度提高了约16%。时效热处理后复合材料内部析出了两种形态的硅化物沉淀,在两种增强体的强化作用下,复合材料的屈服强度比铸态提高了约21%。     

FSI的ViPR~(TM)全湿法去除技术扩展到NAND存储器制造

FSI International日前宣布,一家主要的存储器制造商将FSI带有独特ViPRTM全湿法无灰化清洗技术的ZETA清洗系统扩展到NAND闪存生产中。该IC制造商就这一机台在先进的NAND制造中可免除灰化引发损害的全湿法光刻胶去除能力进行了评估。客户对制造过程中无灰化光刻胶剥离法、实现用一步工艺替代灰化-清洗两步工艺的机台能力给予肯定。除了减少缺陷外,用户们还受益于通过一步工艺缩短了总的工厂生产流转周期。     

电子束熔覆大面积均匀束斑设计及试验

文中利用角度等分和热作用等分原理,通过理论计算设计出投影波形束斑模型,该束斑模型具有扫描区域内能量均匀分布的特点.对所设计的投影波形进行离散化处理,利用最小二乘法对波形进行拟合,生成电子束设备数控系统能够识别的图形.针对常用的典型波形和理论计算的投影波形,分别在铌合金硅化物涂层上进行束斑波形均匀性试验.结果表明,投影波形熔覆处理区域在表面均匀性、表面平整性和表面颗粒均匀性等方面,均优于常用典型波形.     

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.     

铌硅化物基超高温合金电弧熔炼态组织和成分分布

采用真空非自耗电弧熔炼后再真空自耗电弧熔炼的方法制备了Nb-Ti-Si-Cr-Al-Hf-Mo-B-Y超高温合金的母合金锭,分析了合金锭不同位置的组织形貌、相组成和成分分布特点.结果表明:母合金锭主要由Nbss, (Nb,X)5Si3和(Nb,X)3Si三相组成.母合金锭组织主要由初生Nbss枝晶,花瓣状Nbss+(Nb,X)5Si3共晶和块状(Nb,X)3Si组成;但在母合金锭底部和顶部的中心部位组织却由分布均匀的Nbss+(Nb,X)5Si3共晶组成,没有出现初生树枝状Nbss和块状(Nb,X)3Si.母合金锭中的成分分布特点为Si由锭边缘向中央逐渐升高,Ti由边缘向中央逐渐递减.     

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。     

超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜特性

通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni(Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最好,且在600℃依然保持形态稳定。应用此退火条件,Ni0.86Pt0.14在0.5μm和22 nm CMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜,同时没有形成任何尖峰。对于更薄的硅化物,实验结果表明,2 nm Ni0.86Pt0.14形成的超薄硅化物界面平整,均匀性好,没有在界面出现Ni0.95Pt0.05金属硅化物的"倒金字塔形"尖峰。结果显示,比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni(Pt)Si硅化物薄膜,后者比前者电阻率约低10%~26%,该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用。     

用于自对准提升硅化物结构的Co/Si/Ti/Si及Co/Si/…Ti/Si多层薄膜固相反应研究

为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅,提出添加非晶Ｓｉ的新方法,并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方法对固相反应过程进行了研究,对反应形成的ＣｏＳｉ２薄膜进行了测试分析,并探索了在ＳｉＯ２／Ｓｉ及图形片上的选择腐蚀工艺．结果表明,当选择合适的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比,恰当的两步退火方式及选择腐蚀溶液,两种方法都可以形成自对准硅化物结构．研究了这两种固相反应过程,发现在一定的Ｃｏ∶Ｓｉ原子比范围内,这两种方法制备的ＣｏＳｉ２