Ti—Cr—Si硅化物涂层结构及裂纹扩展

分析研究了Ｃ－１０３铌合金改性Ｔｉ－Ｃｒ－Ｓｉ保护涂层氧化过程中结构的变化以及裂纹扩展过程。结果表明,涂层表面玻璃态氧化物性质、涂层主体中硅含量以及低硅化物的生长和其力学性能决定了涂层中裂纹的扩展行为。     

铌基超高温合金表面Si-Al包埋共渗抗氧化涂层的组织形成

通过1000～1150℃Si-Al包埋共渗8h的方法在铌基超高温合金表面制备Al改性硅化物抗氧化涂层,结果表明：实验温度下制备的涂层均具有多层复合结构;不同温度下共渗涂层外层的相组成不同,但最内层均由（Nb,Ti）Al3和（Cr,Al）2（Nb,Ti）组成。1050℃、8hSi-Al共渗在合金表面形成了Al改性的硅化物涂层,其最外层主要为Nb3Si5Al2,依次往内为（Nb,X）（Si,Al）2（X代表Ti,Cr和Hf元素）层、（Nb,X）5Si3层以及最内层;而在1000℃、8h条件下Si-Al共渗形成的涂层以（Nb,Ti）Al3为主,其中含有少量的（Nb,X）5Si3,没有形成以硅化物为主的涂层;在1100℃、8h和1150℃、8h条件下Si-Al共渗形成的涂层外层以（Nb,X）（Si,Al）2为主,但其中Al含量（摩尔分数）仅为2.35%,没有形成Nb-Si-Al三元化合物层。     

Ni(Pt)Si硅化物温度稳定性的研究

对比研究了夹层结构N i/P t/N i分别与掺杂p型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化物薄膜的电学特性。实验结果表明,在600~800°C范围内,掺P t的N iS i薄膜电阻率低且均匀,比具有低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100~150°C。依据吉布斯自由能理论,对在N i(P t)S i薄膜中掺有2%和4%的P t样品进行了分析。结果表明,掺少量的P t可以推迟N iS i向N iS i2的转化温度,提高了镍硅化物的热稳定性。最后,制作了I-V特性良好的N i(P t)S i/S i肖特基势垒二极管,更进一步证明了掺少量的P t改善了N iS i肖特基二极管的稳定性。     

硅化物阻挡层对高压漏扩展MOS晶体管的影响

Silicide-block-film effects on drain-extended MOS （DEMOS） transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide （SRO）. The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection （HCI） induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area.     

薄膜全耗尽SOICMOS器件和电路

对全耗尽 SOI(FD SOI) CMOS器件和电路进行了研究 ,硅膜厚度为 70 nm.器件采用双多晶硅栅结构 ,即NMOS器件采用 P+多晶硅栅 ,PMOS器件采用 N+多晶硅栅 ,在轻沟道掺杂条件下 ,得到器件的阈值电压接近0 .7V.为了减小源漏电阻以及防止在沟道边缘出现空洞 (V oids) ,采用了注 Ge硅化物工艺 ,源漏方块电阻约为5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 .其中当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振单级延迟为 45 ps     

铂-铱硅化物肖特基势垒红外探测器

已经制备了用硅化物做电极的肖特基势垒红外探测器,该电极是在p型硅衬底上,依次真空淀积5～10A的铂和10～20A的铱金属膜,经热退火后形成的。铂-铱肖特基二极管的势垒高度为0.16～0.19eV,与具有0.22eV的纯铂二极管相近,而探测器截止波长可延伸到6μm范围以外。而且,与单用铂或单用铱的二极管相比,在有效光谱范围内,铂-铱二极管呈现出较高的探测器量子效率。     

微处理器芯片技术的发展及展望

作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来，式样不断翻新，产品性能突飞猛进，有力的带动了信息产业发展，本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程，从芯片所用材料的变更，封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨，展望了微处理器芯片未来的发展趋势。     

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10~(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm~(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm~(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.