钼合金Si-Cr-Ti-SiC-MnO2涂层的制备与组织性能

目的提高钼合金表面红外辐射性能与高温抗氧化性能。方法将40%Si、20%Cr、5%Ti、5%SiC、30%Mn O_2五种粉末与酒精、粘结剂按比例混合,经高能球磨6 h后制得均匀悬浮的料浆。采用浸涂工艺对预处理的钼合金试样进行料浆涂覆,在1450℃真空烧结0.5 h后制得黑色涂层试样。通过1550℃高温静态氧化试验和高温粒子薄片红外光谱综合实验系统,分别评价涂层抗氧化性能和红外辐射性能,并通过扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对涂层氧化前后的形貌与组织结构进行分析。结果钼合金Si-Cr-Ti-SiC-Mn O_2涂层在700、900℃的法向发射率分别达0.85、0.88,在1550℃高温有氧环境下的静态抗氧化寿命达7 h。原始涂层呈四层复合梯度结构,由外到内分别为SiO_2+Mn3O_4+M5Si3(M指Mo、Cr、Ti)、M5Si3+Mo Si2+SiC+Mn3O_4、Mo Si2、Mo5Si3。高温氧化后,涂层四层复合结构由外到内转变为SiO_2+(Cr,Ti)5Si3+Mn Cr2O_4+Mn3O_4、M5Si3+SiC+Mn Cr2O_4+Mn3O_4、Mo Si2、M5Si3。高温氧化过程中,MSi2高硅化物层逐渐转变为M5Si3低硅化物层,涂层表面形成含Mn Cr2O_4尖晶石相和复合硅化物的致密SiO_2玻璃膜。结论 Si-Cr-Ti-SiC-Mn O_2涂层可有效提高钼合金基体的红外辐射性能和高温抗氧化性能,复合硅化物与硅锰复杂氧化物具有良好的抗氧化性能、高辐射性能和自愈合性能。     

青岛海湾集团有限公司简介

一、集团基本情况 青岛海湾集团有限公司是2004年5月份由青岛市政府批准,调整重组原青岛凯联（集团）有限责任公司所属企业重新组建的以化工、建材生产为主的市直企业集团,是青岛市大型化工集团和重点骨干企业集团。集团由二十余家控股和参股企业组成,经营领域涉及基本无机化工原料、精细化工、无机盐、无机硅化物、农用化学品、建材、原盐等。     

亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.     

天然气直接转化研究获重大突破

中国科学院大连化学物理研究所包信和院士团队基于纳米限域催化新概念,创造性地构建了硅化物晶格限域的单铁中心催化剂,成功实现了甲烷在无氧条件下选择活化,一步高效生产乙烯、芳烃和氢气等高值化学品。在二十多年甲烷催化转化研究的基础上,包信和团队将具有高催化活性的单中心低价铁原子通过2个碳原子和1个硅原子镶嵌在氧化硅或碳化硅晶     

包渗法制备硅化物涂层的结构形貌及形成机理

采用包渗法在C-103铌合金基体上制备MoSi2涂层,通过X射线衍射、扫描电镜和能谱分析等手段研究涂层表面、截面形貌以及氧化后涂层结构变化,并分析硅化过程中涂层的形成机理。研究结果表明：包渗法制备硅化物涂层是通过反应扩散形成的,硅化过程服从抛物线规律;该涂层为复合结构：MoSi2相为主体层;以NbSi2相为主、并含少量Nb5Si3相的两相为过渡区;Nb5Si3相为扩散层。在高温氧化环境下,涂层表面生成致密的非晶氧化层,有效地阻止了氧向涂层内扩散。     

新建大型机组试运期间的“洗硅运行”

讨论新建机组热力系统硅化合物的来源及去除措施,重点论述了“碱处理洗硅”工艺的特点及在亚临界机组试运中的应用,认为该工艺具有节省除盐水并可大大缩短试运工期等优点,可以在基建机组试运中应用。     

锂离子电池硅基负极材料改性研究进展

锂离子电池硅基负极材料由于理论容量较高(4200 mAh/g),成为最具吸引力的新一代负极材料.然而,硅在充放电过程中体积变化较大,引起电池容量的快速衰减,从而导致电池的循环性能变差.为解决此问题,表面处理、多相掺杂、形成硅化物等方法被用来改善硅基负极材料的电化学性能.综述了以上方法对硅基负极材料改性研究的最新进展,并对各种改性方法进行了简单的评述.     

AISI3O4表面Fe3Si型过渡金属硅化物渗层结构缺陷初探

利用NaCI：KCI：NaF=2：2：1（摩尔比）的碱金属卤化物混合体系为载体,Na2SiF6：Si=8：2粉末为渗硅剂,SiO2为助渗剂,800℃下渗硅5h可实现在AISI3O4不锈钢表面形成Fe3Si型硅化物渗层．采用万能材料试验机进行轴向拉伸试验,用附带能量色散谱仪的扫描电子显微镜进行断面分析．结果表明,渗层中的大空洞为包盐孔洞．     

微处理器芯片技术的发展及展望

作为计算机核心的微处理器芯片问世至今三十多年以来，式样不断翻新，产品性能突飞猛进，有力的带动了信息产业发展，本文回顾了三十年以来从4004微处理器到当今Pentium4的技术发展历程，从芯片所用材料的变更，封装技术及光布线技术发展的角度进一步探讨，展望了微处理器芯片未来的发展趋势。     

改善较低温度下二硅化钼加热元件使用寿命的方法

一种增加加热元件寿命的方法，此类元件主要包含钼硅化物和此类基础材料的合金，当所述元件在低温工作时，例如在温度范围从400-600℃。本发明的特征在于加热元件材料包含Mo（Sil—xilx）2，所述材料含足够的铝以基本阻止有害物形成。