自对准硅化物工艺研究

对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论，并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明，随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高，常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要；Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求。     

高温无机粘合剂研制成功

一种新型耐高温无机粘合剂日前在中国石油吉林石化公司研究院研制成功。该种新型耐高温无机粘合剂是以硅酸盐为粘接剂,高分子缩合磷酸盐为固化剂,硅化物、碳化物等高熔点物质为填料组成的新型粘合剂。具有机械强度高、粘接力强、化学稳定性好、无毒无污染、不燃烧、室温固化及高温使用等特点。可广泛用于石油、化工、冶金、电力等行业中的高温设备、烟道炉窑的粘接密封等领域。该产品在国家86 3攻关项目的高温碳化炉内进行应用试验,在使用温度高达10 0 0～130 0℃,连续使用5 0 0h后,仍具有良好的粘接密封性能。该新型无机粘合剂的研制成功为…     

Ce—Si多层膜中铈硅化物的形成

超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。     

硅化物形成条的条件对Pt硅化物／硅势垒的影响

利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。     

高纯难熔金属及其硅化物在微电子领域的应用

现代微电子装置使用了高纯难熔金属硅化作为接点，栅极，布线，阻挡层和集成电路的喷涂金属粉。这些材料良好的化学稳定性和热稳定性为厚度不到１μｍ的集成电路的设计铺平了道路。这些应用的重要的先决条件是制取碱金属，碱土笔过渡族元素的含量低于０．０５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｍ）的高纯难熔金属及其硅化物。铀和钍的残余浓度甚至降到０．０００５ｍｇ／ｋｇ（ｐｐｂ）以下。     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

热氢处理对Ti600合金的组织演变和硬度的影响

研究了热氢处理对Ti600合金组织演变和硬度的影响.结果表明:热氢处理后,在Ti600合金中析出具有四方结构的硅化物粒子S3(0.357%H)和六方结构的硅化物粒子S1(0.497%H).在氢的质量分数为0.357%和0.497%的试样中均发现有面心立方(fcc)的氢化物,并且随着氢含量的提高氢化物表现出明显细化的趋势.Ti600合金的硬度随着氢含量的提高而提高,其主要原因是氢化物、硅化物粒子以及晶格缺陷的存在.     

锰硅化物在Si(111)-7×7表面的制备及其STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物。实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛。除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论。