6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

浸入式水口耐火材料与钢水间反应对气泡性缺陷发生率的影响

本文分析研究了浸入式水口的多孔质耐火衬与钢水间反应对气泡性缺陷发生率的影响，并探讨了通过使用不 与钢水发生反 应的无二氧化硅多孔质耐火衬可以防止气泡性缺陷发生的机理。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

ASME IWB—3650压力管道缺陷评定规范介绍

本文分析了国内外对压力管道缺陷评定研究的现状，介绍了ＡＳＭＥ Ⅺ ＩＷＢ－３６５０及附录Ｈ“铁素体钢管道缺陷评定规范及验收准则”的总体技术路线和特点，并对规范编制的技术背景和优越性进行了分析，最后给出了我们验证研究的一例。