TD-LTE网内切换性能优化分析

TD-LTE采用的是硬切换技术,它能够减少信令开销和避免一些不必要的切换。为了使其能够实现无缝切换,必须根据不同的场景对TD-LTE无线网络切换的关键参数进行合理的配置,这样才能避免乒乓切换发生的次数和减少RLF,从而使切换性能得到提升。文章通过仿真给出了不同速度下的参数配置,并分析了其合理性。     

W波段带状注速调管多间隙腔高频结构及其特性

通过对W波段带状注速调管的哑铃型谐振腔特性进行分析,利用三维高频仿真设计软件CST-MSW建立了单间隙、三间隙、五间隙腔的物理模型,详细分析了不同结构尺寸对于高频系统相关冷参数的影响,优化得到了相应的高频结构及其特性参数,以此作为开发的二维注波互作用程序SBK.2D快速计算的高频输入参数.同时,为了结合注波互作用系统的热参数三维仿真设计,采用MAGIC-3D对多间隙腔的高频特性及参数进行了仿真计算,得到的结果与CST冷参数设计基本一致,为W波段带状注速调管注波互作用系统的设计提供了重要参数和依据.     

选区激光熔化成型悬垂结构的计算机辅助工艺参数优化

为了提高选区激光熔化(SLM)成型悬垂结构的质量,从调节成型方向和能量输入入手研究悬垂结构的计算机辅助工艺参数优化。以减小零件模型整体难成型悬垂面的面积为目标,以零件模型非成型方向的两个旋转角度为优化变量,建立成型方向的优化模型,并基于遗传算法实现优化模型参数的求解。通过遍历零件模型中的所有三角面片,建立倾斜角静态查找表,并在成型时查表实现能量输入的实时调节。实验结果表明,经成型方向优化,零件模型难成型悬垂面的面积从555.12mm2减小为16.211mm2,所需支撑数量明显减少;成型后所得零件无明显悬垂物和翘曲变形,成型质量明显改善。     

无线传感器网络中基于锚节点功率调节的加权质心定位算法

提出了一种基于锚节点功率调节的加权质心定位算法,通过锚节点的功率调节确定各个锚节点对于未知节点的影响力因子,并将其作为权重计算未知节点的位置,体现了不同锚节点为未知节点位置计算结果的影响.仿真表明,该算法减小了节点的平均定位误差,是一种适合于无线传感器网络的定位方法.     

超高清电视系统关键技术浅析

本文对国内外的电视技术发展现状进行了充分的研究和分析,并对超高清电视系统的相关图像技术参数进行了分析和介绍。     

Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13-μm silicide CMOS technology

Gate-grounded NMOS （GGNMOS） devices with different device dimensions and layout floorplans have been designed and fabricated in 0.13-μm silicide CMOS technology. The snapback characteristics of these GGN-MOS devices are measured using the transmission line pulsing （TLP） measurement technique. The relationships between snapback parameters and layout parameters are shown and analyzed. A TCAD device simulator is used to explain these relationships. From these results, the circuit designer can predict the behavior of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level. Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.     

复合材料结构等效电磁参数均匀化方法

依据周期结构复合材料等效电磁参数的均匀化方法,推导了此类结构等效电磁参数的有限元计算公式;并对介质框和介质方柱周期结构复合材料的等效介电常数进行了有限元求解,给出了这两类周期结构等效电磁参数的高精度拟合公式。数值算例表明这种有限元均匀化方法是可靠高效的,能够为周期结构复合材料的等效电磁参数预测和设计提供均匀化计算方法。     

高压gg-LDMOS在ESD应力条件下的热特性研究

The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions along the Si–SiO2 interface under different stress conditions are presented and the physical mechanisms are discussed in detail.The influence of structure parameters on peak lattice temperature is also discussed,which is useful for designers to optimize the parameters of LDMSO for better ESD performance.