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纳米晶双相稀土永磁合金作为永磁体广泛应用于工业电动机和工业仪表中 ,但对该材料的电子显微结构分析报道较少 ,主要原因是该材料的透射电子显微镜薄膜样品的制备极为困难。原因是 :其一 ,该材料具有极高的脆性 ,以致在制作过程中用镊子夹取时样品极易碎裂 ,使制备过程失败 ;其二 ,由于所制备材料工艺限制 ,这种材料的宽度一般在 1 2~ 2 5mm ,厚度在 30~ 6 0 μm ,传统的制作方法需要经过机械打磨、3大小的薄膜剪切 ,才能将该材料用电解双喷方法或离子薄化技术制成透射电镜薄膜样品 ,但上述方法一般均需要原始试样的宽度不低于3m…  相似文献   
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用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制.  相似文献   
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介绍了七九四矿铀堆浸场氡释放率测量方法和结果。按堆浸进行阶段 ,氡释放率分别为 :新堆35.15Bq/m2· s,补液后的运行堆 1.33Bq/m2· s,浸出结束后待出渣堆为 8.52 Bq/m2· s。该矿山堆浸全过程的氡释放率加权平均值为 4 .4 8Bq/m2· s  相似文献   
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介绍一组零场双稳态液晶显示器的基本原理和结构。本节着重介绍顶点双稳态向列相液晶显示器的工作原理和制作。  相似文献   
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TDA1170N的OTL场输出级电路的功耗主要由四部分组成,一是正程前半段场输出管、Q_1的导通功耗(约1.9W),二是正程后半段输出管Q_2的导通功耗(约1.3W),三是逆程期间Q_1的导通功耗(约0.2W),四是正程期间偏转线圈的电阻功耗(约0.9W)。  相似文献   
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高陡松动山坡地质情况复杂,勘察工作难度大,施工条件困难。本文就福州华能电厂贮灰场引水渠道陡松动山坡的勘察,论述了采用物探手段,合理的稳定性分析方法,解决了该高陡松动山坡的稳定性问题,为工程节省投资500多万元。  相似文献   
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《电源技术应用》2006,9(7):59-59
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出一种面向洗衣机直驱永磁同步电机(PMSM)的无传感器控制平台。新平台采用嵌入式磁场定向控制(FOC)算法,具有很好的转矩控制  相似文献   
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