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采用金属有机化学气相淀积方法生长了α-Al2O3衬底上外延的高质量的单晶GaN薄膜。X射线衍射光谱与喇曼散射光谱表征了GaN外延薄膜的单晶结构和单晶质量。透射光谱和光调制反射光谱定出了六角单晶GaN薄膜的直接带隙宽度和光学参数。 相似文献
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提出了溅射-气体-聚集共沉积制备金属/金属(介质)复合团簇镶嵌薄膜的新方法,并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Fe/Ag及CaF2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明,样品中Fe(Cu)团簇都较好地镶嵌于Ag(CaF2)基质中,其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现,与块材相比,Fe/Ag样品中Fe团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩,而Cu/CaF2样品中Cu团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。 相似文献
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首次采用叠加能量离子注入技术制备C^+注入SiO2薄膜样品,室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光谱对退火条件的依赖关系,研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。 相似文献
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沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PZT(53/47)薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的电场下,疲劳循环直到4×108次时,最大极化强度仍有20.6μC/cm2,降低了约34%,其剩余极化强度保持为10μC/cm2左右。 相似文献