铂热电阻的接线造成温度失真现象的研究

项目推广中发现很多矿井主通风机的监测温度经常出现不同程度的虚高现象,分析其原因是测温线路的接线引起了较大的温度误差。文章对测温线路进行了理论分析,并通过实验得出导线电阻的大小对温度影响的关系。     

铂电极多功能传感器在水产养殖中的应用

针对水产养殖中水质安全要求,设计了一种多功能智能传感器。传感器以铂为电极材料,对温度、电导率、p H值、氧化还原电位(ORP)、铅离子和其他重金属离子6种水质指标进行检测。智能传感器采用模糊神经网络进行数据融合,通过ZigBee和通用分组无线业务(GPRS)进行数据传输。实验测试结果表明:设计的传感器检测精度高,可以实现水质检测功能。     

叶酸靶向顺铂聚合物胶束对肺癌细胞SPC-A-1的毒性和辐射增敏作用

以顺铂为对照,使用具有叶酸靶向基团的聚乙二醇枝接聚天冬氨酸聚合物胶束顺铂载体FA-PEG-g-PAsp-CDDP和无叶酸靶向基团的mPEG-g-PAsp-CDDP,通过比较这3种药物对肺癌细胞SPC-A-1体外的细胞毒性以及单独用药和同步放疗对裸鼠移植瘤的生长抑制作用,验证FA-PEG-g-PAsp-CDDP的肿瘤抑制和辐射增敏效果。在体外CCK-8实验中比较顺铂、FA-PEG-g-PAsp-CDDP和mPEG-g-PAsp-CDDP对过表达叶酸受体的肺癌细胞株SPC-A-1的细胞毒性作用,在体内试验中比较顺铂、FA-PEG-g-PAsp-CDDP和mPEG-g-PAsp-CDDP单独用药和同步放疗对裸鼠移植瘤的生长抑制及放射增敏作用,并观察对裸鼠体重的影响。结果显示:含过量叶酸的普通培养基中FA-PEG-g-PAsp-CDDP和mPEG-g-PAsp-CDDP的细胞毒性作用相似,而在不含叶酸培养基中FA-PEG-g-PAsp-CDDP的细胞毒性高于mPEG-g-PAsp-CDDP,IC50约为后者的1/(3p<0.05)。单独用药实验中FA-PEG-g-PAsp-CDDP和CDDP体内抑瘤效果无统计学差异(p>0.05),但均高于mPEG-g-PAsp-CDDP组和空白对照组(p<0.05);同步放化疗实验中FA-PEG-g-PAsp-CDDP的抑瘤效果优于CDDP(p<0.05),并且两者均优于mPEG-g-PAsp-CDDP组和单独放疗组(p<0.05)。裸鼠CDDP给药后体重下降明显,最多下降约10%,而FA-PEG-g-PAsp-CDDP和mPEG-g-PAsp-CDDP组裸鼠体重无明显下降。FA-PEG-g-PAsp-CDDP能有效抑制肿瘤生长,叶酸靶向基团增强了其对过表达叶酸受体肿瘤的抑制作用,并且较CDDP有更强的放射增敏效果和更低的毒副作用。     

大气气溶胶中痕量贵金属元素Pt的仪器中子活化分析初步研究

初步研究了仪器中子活化分析方法测定大气气溶胶中痕量Pt的干扰,建立了Ca对Pt干扰校正的数学方法.实验结果显示:所建立的用199Pt衰变子体199Au测定大气气溶胶中Pt的INAA方法是可行的.     

共沉淀富集分离矿石中微量金、铂、钯

研究了硒、铜、银、砷作为共沉淀剂。富集分离地质样品中金、铂、钯的最佳条件。在3mol/L HCl介质中，以4mg硒和5mg铜、银、砷对金、铂、钯进行共沉淀富集，采用孔雀绿分光光度法测定金．DDO分光光度法测定铂、钯，回收率均在95％-102％之间。通过对含金矿样加入铂、钯标准样品的回收实验，结果令人满意。     

正丁基苯并噻唑硫醚萃取分离钯、铂的研究

用正丁基苯并噻唑硫醚 (简写为S)对某厂料液中的钯、铂进行了分离研究。采用正交实验法确定的最佳萃取条件可有效地分离钯、铂。钯的一次萃取率达 99% ,用 9mol·L- 1 的NH3·H2 O反萃 ,一次反萃率也达 99%以上。萃取钯后的萃余液用 [S] =80 %的萃取剂萃取铂 ,两次萃取铂的总萃取率为 98.7% ,再用 10 %NaCl+0 .2 %NaOH反萃两次 ,总反萃率达 96%以上。     

移动式铂探针液面自控的新装置

针对原有移动式铂探针玻璃液面自动控制系统存在的诸多问题，吸收国外先进设备的工作原理，采用国内先进设备进行配套，研制出改进的控制系统，其系统的可靠性，测量精度和可适配性比原系统大大提高。     

新型电催化剂Pt—WO3电极的制备与催化活性研究

研究了制备条件对Ｐｔ－ＷＯ３电极催化活性的影响,并探讨其作用机理。Ｐｔ－ＷＯ３电极的催化活性由电极的组成和电极的微观表面的结构所决定。     

WO3薄膜材料的气敏性能

研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明：WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。