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991.
用相变方法制取高纯度超细钽粉的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
报导了通过相变热处理使K2TaF7晶体参数发生变化,以利于制取高纯度超细钽粉的实验依据和结果。结果表明,K2TaF7在200~250℃发生可逆相变;相变后K2TaF7晶体的粒径可由原来的1351.8μm减小至70.8μm,极大地提高了比表面积;相变后,杂质极大挥发,提高了K2TaF7的纯度。 相似文献
992.
介绍了铂铑包覆钼合金搅拌器的结构与技术要求,以及搅拌器的制作与使用效果。研制结果表明,国产搅拌器达到了日本同类产品的水平。 相似文献
993.
采用真空自耗电弧炉熔炼制备Ti9Al合金,通过渗氢处理显著提高氢含量,在凸轮塑性试验机ЧПИ-2上以10mm/min的速度进行热模拟试验。研究发现:氢可以降低Ti9Al合金的相变温度,扩大α β区的温度范围;氢作为卢稳定剂会妨碍或完全抑制以Ti3Al为基的α2相的析出;钛合金的氢合金化可促使卢相在更低温度下稳定化,明显地提高了Ti9Al合金塑性。 相似文献
994.
压痕法测定热压MoSi2基复合材料K1C值的研究 总被引:8,自引:1,他引:8
用不同的压痕方程计算了纳米ZrO2粒子韧化MoSi2基复合材料的室温断裂韧性K1c值,同时研究了压痕载荷对K1c值的影响。结果表明,试验材料在试验条件下的断裂韧性不遵从半月状裂纹系统方程,而遵从巴氏裂纹系统方程,其室温压痕断裂韧性保持与压痕载荷的独立性。 相似文献
995.
采用粉末冶金的方法制备了银基氟化镁材料。利用X射线衍射仪、金相显微镜和差热分析仪等对其组织结构进行分析,同时对其硬度、电导率、密度和摩擦系数等进行了测试。结果表明:形成的合金相对密度达98%以上,银与氟化镁能达到原子级别的结合:在银中添加氟化镁,样品的电导率有较大幅度的下降,并且晶粒显著细化,但材料的硬度提高不大,对银和铜的摩擦系数没有明显的降低。因此,氟化镁不能作固体自润滑材料的添加剂。 相似文献
996.
Yb2O3/TiO2纳米颗粒的制备及表征 总被引:13,自引:0,他引:13
采用溶胶-凝胶法制备了微量 Yb2O3掺杂纳米 TiO2颗粒,采用 XRD, TG-DTA, TEM等手段对试样经不同温度热处理后的结构相变、表面形貌、颗粒大小等特性进行了表征.实验表明温度不高于 400℃时,试样的颗粒粒径较小,粒径在 15 nm以下,比表面积大于 107.22 m2@ g-1, TiO2呈锐钛型;在 400℃以上, TiO2粒径迅速增大,微粒出现锐钛相与金红石相混晶结构;800℃时 TiO2微粒完全转化成金红石相. 相似文献
997.
半导体硫化银纳米管的制备与光学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在以Triton X-100为表面活性剂形成的反相胶束体系中,成功地制备了半导体硫化银纳米管,管径88 nm~120nm、长度大于2.6 μm.X射线衍射测定表明,产物为纯单斜结构.紫外-可见光谱在275 nm处发现新的吸收峰,最大发射波长与体相材料相比,蓝移了38 nm. 相似文献
998.
MoSi2—Mo5Si3复合材料的低温氧化行为 总被引:1,自引:0,他引:1
通过热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为,指出材料低温氧化时,随Mo5Si3量增多,材料氧化加剧,当Mo5Si3含量超过16%(质量分数)时发生“PEST”现象,所形成的SiO2由于MoS3晶须的大量存在,使其不能均匀连续地分布于材料表面,从而加剧了氧化。 相似文献
999.
采用在常规模压生坯中浸渗Al的方法,研究了MoSi2+Mo反应熔渗Al后的显微组织和力学性能的变化情况.研究表明MoSi2坯体在1350℃反应浸渗Al可使抗弯强度高达737 MPa,其断裂韧性也可达到4.3 MPa·m1/2,远远高于热压单相材料;然而其相成分中存在残余的Si相和Al相将会阻碍其高温应用;在MoSi2坯体中加入Mo粉可以消除残余硅相;经过计算,当Mo添加量为15%(质量分数,下同)时,可以完全消除Si相,并使Al相达到最低,而其强度并不降低.同时SEM观察表明,添加15%Mo后其断口显示晶粒间絮状夹层变成颗粒状黑色相面积较未加入Mo粉时减小.从而进一步证实添加15%Mo产生的组织变化将有利于该材料的高温力学性能. 相似文献
1000.
研究了添加0.5at%和1.0at%Zr对钐铁合金微结构和相组成的影响。添加和不添加Zr的Sm-Fe合金相比,发现添加1.0at%Zr可以基本消除铸态组织中的α-Fe,并且能同时减少富钐相。多添加18at%Sm的Sm-Fe合金退火后,仍残留少量的α-Fe,而添加1.0at%Zr的Sm-Fe-Zr合金退火后主相Sm2Fe17以及α-Fe的量没有明显的变化,因此有可能避免过长的均匀化退火过程。 相似文献