发酵甘油废水的处理工艺

针对发酵甘油生产过程中的淀粉质原料浸泡废水固体悬浮物质量浓度高和提取废水难以生物降解的特性,分别采用沉淀法和Fenton试剂法对其进行预处理,再与发酵废水混合后,采用UASB-SBR组合工艺进行处理.结果表明:当进水COD为6 800-7 360 mg／L时,处理后出水COD可降到100 mg／L以下,出水NH3-N降到15 mg／L以下,系统出水可以达标排放.     

n沟增强型InP MISFET研究

在掺Fe的<100>晶向半绝缘 InP上,用 TEOS为源的 PECVD SiO_2作为栅氧化层,以Si~+注入 S.I.InP形成源、漏区,研制成基于 InP/SiO_2界面的n沟增强型 InP MISFET.其饱和区跨导 g_m为6.4mS/mm,沟道有效电子迁移率 μ_(eff)为1400cm~2/V·S,并对 InP MISFET特性及漏电流慢漂移行为作了讨论与分析.     

Influence of heat–moisture treatment and annealing on functional properties of sorghum starch

Sorghum starch was annealed in excess water at 50 °C for 24 h. Starch was also modified under heat–moisture treatment at 110 °C after adjusting various moisture contents (20, 30 and 40%) for 8 h. Significant decrease in chain lengths of amylose fraction in HMT starches was observed. Heat moisture treated (HMT) and annealed (ANN) starches showed lower granule sizes, swelling power, peak and setback viscosity but higher retrogradation as compared to native starch. HMT starch with addition of 40% moisture showed a decrease in relative crystallinity. HMT and ANN starch gels were observed to be harder than native starch gel.     

高得率浆废水的高效生化处理——序列活性污泥法处理低污染意杨APMP废水

研究表明短周期速生材意大利杨APMP制浆工艺是一种低污染的清洁生产技术。用序列活性污泥法和混凝法组合技术处理该种废水 ,可达到国家GB 3544— 92二级或一级排放标准。     

预扭转及退火热处理对TA2拉伸力学性能的影响

研究了预扭转和退火热处理对TA2拉伸力学性能的影响。结果表明,预扭转可显著增强TA2的拉伸屈服强度和极限强度,在一定范围内屈服强度随预扭转角增加而增大,当预扭转角超过一定值(6π)时,屈服强度急剧下降;极限强度随预扭转角增大一直呈上升趋势;延伸率随预扭转角的增加逐渐降低。预扭转后TA2不同温度(350～750℃)下的退火热处理试验表明,随着退火温度的提高,TA2强度逐渐降低,650℃时其强度已降低至母材初始值;延伸率随退火温度的升高而逐渐升高,但不能完全恢复至母材初始值。观察断口发现,随着预扭转角增加断口韧窝逐渐变小、变浅,预扭转为8π时出现了河流发散状的解理条纹。金相组织表明,预扭转后产生的大量孪晶和形变组织是导致TA2强度增大的主要原因。     

原位拉伸法研究GH3625合金退火孪晶界稳定性及断裂行为

孪晶界作为低能稳定界面易在低层错能金属中被调控而成为近年来研究的热点.固溶态GH3625合金组织中含有大量退火孪晶组织.本实验采用室温原位拉伸结合扫描电子显微镜(SEM)观察和能谱(EDS)分析的方法研究了固溶态GH3625合金中孪晶组织演变及断裂行为.结果 表明,GH3625合金在原位拉伸变形过程中,孪晶组织内部主要...     

批次过程控制——回顾与展望

批次过程是一类重要的化工过程.因其本身的灵活性及高效性,被广泛应用于半导体制造、塑料加工、生物制药等领域.针对批次过程控制算法的研究也得到了大批学者的关注.在近三十年中,批次过程控制理论得到了长足的发展.但由于过程本身复杂的动态特性,以及对控制精度要求的提高,现有的理论和方法仍面临着挑战.本文从批次过程的特性出发,分析了算法设计的难点,对几种重要的控制算法进行总结分析,同时讨论了未来可能的发展方向.     

GaP高能重离子辐照损伤及退火的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究２．４＊１０＾１５／ｃｍ＾２和２．２＊１０＾１６／ｃｍ＾２ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＧａＰ的辐照损伤及其退火效应。结果表明,高低两种注量辐照在ＧａＰ中产生浓度较高的单空位。在３００－１０２３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命温度的变化。低注量辐照品在退火过程中有双空位的形成;而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式,其完全被退火的温度比低剂量辐照的高２５０Ｋ。