强度调制型光纤接近觉传感结构及发展新趋势

对近年发展的几种有代表性的强度调制机器人光纤接近觉传感的结构、机理进行了系统的介绍和比较,指出了传感结构设计需要考虑的关键问题以及今后发展趋势。     

一种分层蜂窝网中基于用户分类的建模分析方法

随着无线网中用户需求的业务量持续增大,且用户具有不同移动性,分层蜂窝结构(HCS)被提出。该文研究一种微小区/宏小区的双层蜂窝结构的网络性能,此系统采用双向溢出策略,呼叫用户根据其速度选择合适的接入层(慢用户接入微小区,快用户接入宏小区)。该文提出一种用户分类建模分析方法(分为快用户和慢用户)来估计分层蜂窝网络性能,它不同于以往的蜂窝层分类(分为微小区层和宏小区层)建模方法。此用户分类模型包括一个快用户模型和一个慢用户模型,两个模型都是简单的一维马尔可夫过程。理论分析和仿真结果都证明了用户分类分析模型的正确性。随后利用此模型分析了为速度阈值的作用和被阻用户重复呼叫情况下的网络性能。     

蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究

利用XSAFS（X－射线吸收精细结构）方法研究六方的纳为晶和晶体GaN在78K和300K温度下Ga原子的局域配位环境结构,对于第一近邻Ga－N配位,纳米晶GaN的平均增长R、配位数N、热无序度σT和结构无序度σs与晶体GaN的相近,分别为0．194nm、4．0、0．0052nm、0．0007nm;当温度从78K增加到300K,GaN样品中Ga－N配位的σT增加不多,小于0．0005nm,表明第一近邻Ga－N配位的共价键作用力较强,几乎不受温度和晶体状态的影响。对于第二近邻Ga-Ga配位,R为0．318nm,纳米晶GaN的σs（0．0057NM）比晶体GaN的（0．001nm )大0．0047nm;在78K和300K时,纳米晶GsA样品的Ga-Ga位位的σT分别为0．0053nm和0.0085nm,这一结果表明Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响,纳米晶GaN中Ga原子的局域配位环境与晶体GaN的差别主要表现在第二近邻Ga-Ga配位的σs相对较大,可能是由于纳米晶GaN内部缺陷及存在较多的表面不饱和配位原子所致。     

Tc-P共掺杂单层MoS2光电特性的第一性原理计算

采用第一性原理的赝势平面波方法,对比研究了未掺杂和掺杂过渡金属Tc、非金属P及Tc-P共掺杂的单层MoS2的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂改变了费米面附近的电子结构,使得导带向低能方向偏移,并且带隙由K点转化为Γ点,形成Γ点的直接带隙半导体.掺杂P使带隙值变小,形成p型半导体;掺杂Tc使带隙变宽,形成n型半导体;Tc-P共掺杂,由于p型和n型半导体相互调制,使得单层MoS2转变为性能更优的本征半导体;掺杂使光跃迁强度减小,且向低能方向偏移.     

三合一混凝土料斗在灌注桩施工中的应用

根据灌注桩施工特点,研制了新型料斗,一器多用,加快了砼运输速度,缩短了灌注时间,减少了浪费,提高了成桩速度。     

新丰江大坝振动监测与安全评估

本文首先介绍新丰江坝、水电厂房及变电系统（ＧＩＳ）设施的最近的振动试验结果;其次,根据新丰江坝历次振动监测资料对比分析,研究了坝体振动特性与弹性波速变化趋势,提出了计入水库影响的坝体前三阶振动频率经验计算公式,对坝体混凝土强度变化程度作了估计;最后,基于振动监测数据与计算分析,给出了大坝及厂房等设施的安全评估结果。     

ECR plasma etch fabrication of C-doped base InGaAs/InP DHBT structures: A comparison of CH4/H2/Ar vs BCl3/N2 plasma etch chemistries

We compare ECR plasma etch fabrication of self-aligned thin emitter carbondoped base InGaAs/InP DHBT structures using either CH₄/H₂/Ar or BCl₃/N₂ etch chemistries. Detrimental hydrogen passivation of the carbon doping in the base region of our structure during CH₄/H₂/Ar dry etching of the emitter region is observed. Initial conductivity is not recovered with annealing up to a temperature of 500°C. This passivation is not due to damage from the dry etching or from the MOMBE growth process, since DHBT structures which are ECR plasma etched in BCl₃/N₂ have the same electrical characteristics as wet etched controls. It is due to hydrogen implantation from the plasma exposure. This is supported with secondary ion mass spectroscopy profiles of structures which are etched in CH₄/D₂/Ar showing an accumulation of deuterium in the C-doped base region.     

光纤传感网络用于机敏复合材料的研究

探索采用一种埋入材料或结构内的结构简单、性能优良的刻纹光纤传感阵列对结构内应变、应力以及外部冲击造成的损伤等状态参数进行实时检测。埋置于教－１１飞机复合材料垂尾内光纤网络的实验显示了该方法的可行性。     

江苏省C3本地电话网组网方式探讨

本文结合江苏Ｃ４本地网的实际情况，说明Ｃ４本地网纳入Ｃ３本地电话网的必要性，例举了４种Ｃ３本地网的组网方式。     

寒冷地区混凝土面板堆石坝垫层的设计

对于寒冷地区的钢筋混凝土面板堆石坝，应根据水库运行特征分区考虑垫层的设计．冬季水位以上区域重点考虑防冻涨问题；水位以下区域考虑垫层的基础及防渗两种功能协调共同发挥作用的问题．对于寒冷地区，垫层宽度的选择是造价、可靠性和施工进度要求的综合考虑结果．施工方法也是设计寒冷地区面板坝时必须考虑的主要因素之一．