DCS安全级仪控平台的分析研究

美国西屋公司的AP1000核电站,采用了数字化仪控系统,实现方式为Common Q＋Ovation。这种集成的仪控系统设计,减少了接口和软件平台的数量,提供了优化的结构和性能。Common Q平台属1E级,AP1000核电站的保护与安全监测系统（PMS）就是在这一平台上实现的。本文对西屋公司的仪控平台Common Q进行评述,并结合目前国内外DCS产品性能特点进行对比性分析,研究Common Q平台的优点及不足。     

465Q系列连杆珩磨工艺分析

由于各种汽车发动机连杆小头孔的尺寸、材料及表面要求存在差别,在珩磨加工时要根据具体型号发动机连杆进行珩磨工艺参数的选择.文中介绍连杆孔珩磨工艺参数的选择方法,确定465Q系列连杆小头孔的珩磨工艺参数,并针对珩磨加工出现的问题进行分析,找出影响工件质量的主要因素,对计算出的参数进行了修订.生产实践证明,连杆小头孔珩磨工艺参数选择得当可提高加工精度、降低成本、提高加工效率、延长零件的使用寿命.     

建筑用Q235钢在高温（火灾）条件下的力学性能研究

对建筑常用的Q235钢在火灾情况下的力学性能分析，获得了Q235钢在高温下的屈服强度、极限强度、弹性模量、伸长率等力学性能指标的变化规律，并在恒温加载和恒载加温两种试验下对Q235钢进行强度对比。     

基于IBR实现VLAN之间通信应用研究

通过实例介绍如何使用IRB协议来实现VLAN之间的相互访问,着重分析了IRB的配置和它们之间的通信原理,在实际应用中实现了新老设备之间的互连,不但优化了配置而且节省了成本,该方法具有一定的应用参考价值。     

80 t UHP DC EAF-LF-CC工艺生产Q390B低合金高强度钢的实践

杭钢用80 t UHP DC电弧炉-钢包炉(LF)-200 mm×200 mm连铸及700×1/650×3轧机轧制,生产直径75 mm的Q390B低合金高强度圆钢.LF精炼时控制(%)0.16～0.19C,1.35～1.52Mn,0.03～0.05V,≤0.025S,≤0.025P,喂CaSi线并全程吹氩,连铸采用长水口保护浇注.检验结果表明,钢材具有良好的表面质量、低倍组织,夹杂物≤2.0级,钢的σs 380～465 MPa,σb 545～625 MPa,δ 22.0%～28.5%,AK 98～210 J.     

低碳贝氏体钢PC80Q钢工艺探讨

贝氏体结构及其相变机制一直是人们研究的重点。贝氏体钢是为了获得某种物理、化学或力学特性而有意添加了一定量的合金元素Cr、Nb、Mo、Ti、B等元素，并对杂质和有害元素加以控制的特殊性能钢。我厂进行过一炉低碳贝氏体钢PC80Q试制生产，存在的问题主要是该钢的冲击韧性值很低，为此笔者从冶炼、轧制及热处理整个工艺过程中的关键点进行了研究改进，以求使其性能得到提高。     

防止低合金高强度结构钢热镀锌层灰暗的措施

Q345低合金高强度结构钢中不适量的硅使热镀锌层出现灰暗、超厚,进而影响镀锌成本.出现这种现象的原因是,Q345钢的硅含量质量分数在0.25%以上,在460 ℃温度下热镀锌,锌-铁反应激烈,致使镀层表面灰暗、镀层超厚、粘附性差.研究表明,Q345钢在430～450 ℃下热镀锌,采取下述防护措施可以控制镀层表面灰暗和镀层超厚:(1)使用变频技术调整工件镀锌后从锌液中分段提升速度(设定在2～20 m/mm以内);(2)在锌液中添加少量的含铋、锡的锌基多元合金;(3)使用助镀剂和除铁设备,控制助镀剂中铁离子的含量在1 g以下;(4)避免过酸洗和重复酸洗.     

Q235A热轧带钢冷弯开裂原因分析

Q235A热轧带钢在冷弯时出现开裂,采用扫描电镜和金相显微镜等对开裂件和合格件进行了观察,结果表明冷弯开裂试样的夹杂物、带状组织级别较高;分析认为夹杂物较多、带状组织级别较高是产生冷弯开裂的主要原因.     

Comparative study of (Ba,Sr)TiO3 films prepared by electron cyclotron resonance plasma sputtering and metal-organic decomposition

(Ba,Sr)TiO₃ films were prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si substrates by mirror-confinement-type electron cyclotron resonance (ECR) plasma sputtering as well as by metal-organic decomposition (MOD). The films prepared by ECR plasma sputtering were crystallized at lower temperatures with better crystallinity and a denser structure than those by MOD. As for dielectric constant, films prepared by ECR plasma sputtering exhibited a relatively high value over 500 at a low annealing temperature of 873 K, whereas films by MOD exhibited approximately 350. This is attributed to the better crystallinity and the denser structure of the films by ECR plasma sputtering. The leakage current density of the films was found to be similar in both processes.     

岷江试验堆Q15孔道中子谱测量试验的研究

为了确定岷江试验堆(简称MJTR)堆芯铍反射层内中子能量E >1.0MeV的快中子注量率,采用一组中子探测片测量了岷江试验堆内第一层铍反射层外Q15孔道内的快中子注量率谱,并由测量谱求得各阈能探测片的快中子反应的谱平均截面和该孔道测量点位置的快中子注量率。结果表明,铍反射层内快中子(E>1.0MeV)注量率为1.985×1012 cm-2·s-1,MJTR每运行一段,铍反射层内快中子(E>1.0MeV)积分注量最大可达1.54×1018cm-2。通过本次试验研究,为更好的开发利用MJTR提供了试验依据。