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Do Hoon Kim Umme Farva Woo Sik Jung Eui Jung Kim Chinho Park 《Korean Journal of Chemical Engineering》2008,25(5):1184-1189
This paper reports an alternative method for the growth of GaN epitaxial layer on (0001) Al2O3 substrate by hot-wall vapor phase epitaxy technique. Tris (N,N-dimethyldithiocarbamato)-gallium (III), Ga(mDTC)3 was introduced as a precursor material for the seed layer formation in the growth of GaN. Optimal growth conditions with
seed layers formed by the Ga(mDTC)3 concentration of 0.047 mol/L were identified: Growth temperature was found to be 850 °C, and optimal distance between the
reactant outlet and substrate was determined to be 12.5 cm. Characterization results showed that this growth method produce
high-crystallinity GaN epitaxial layers at a relatively lower growth temperature compared to the existing growth techniques
and simplify the growth process. 相似文献
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催化裂化装置龟甲网双层衬里的改进 总被引:1,自引:1,他引:0
顾一天 《石油化工设备技术》1995,16(2):25-28
通过对催化裂化装置老的龟甲网双层社里使用情况的调查研究以及对存在问题的分析,提出了改进措施。经近几年的实际应用考核证明,改进措施是行之有效的。在此基础上制订了院标“BL型隔热耐磨衬里施工技术要求”。 相似文献
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评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C。Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出了面接触方法雪崩击穿电压V_(Ba)~∞(V)及点接触方法雪崩击穿电压V_(Bp)~∞(V)的比值为V_(Ba)~∞=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为t_(min p)(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度t_(mina(μm)的比值为t_(minp)/t_(mina)=2.565。在实践上,为证实两种模型的功能,利用两种探针进行了对比测试。一种是通常被采用的点接触锇尖探针:另一种是利用φ0.8±0.1mm的银针,在银针顶上吸上φ0.4±0.1mm的汞球,以实现面接触。理论和实验吻合良好。 相似文献
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为了精确测量镀锡板的镀锡量,提高镀锡板生产和进口的质量,用稀盐酸作电解液,根据电解剥离原理,采用微分电位法,解决了各层界面自动分层难题,研制出镀锡板镀锡量检测分析仪。仪器以Cygnal F005单片机作为智能部件,既可提供本机显示和打印测量结果的功能,又能通过USB接口与上位机配合使用。对双电层电容充电电流引起的测量误差作了修正。仪器小型轻便,操作界面友好。 相似文献