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11.
The influence of the substrate nature on the structure and morphology of ITO thin films grown by thermal evaporation in vacuum is investigated. The as-prepared metal films with Sn/In molar ratio of 0.1 were subsequently annealed for 2 h at 723 K in air (to obtain tin doped indium oxide), then annealed in vacuum at 523 K, followed by UV irradiation (to reduce the electrical resistivity). Irrespective of substrate nature, XRD data evidence a (222) preferential orientation in films. Substrate nature, annealing in vacuum and UV irradiation influence the structure, morphology, optical, electrical and surface wetting properties of the films' surface. 相似文献
12.
13.
以行波半导体光放大器速度方程为基础,采用传输矩阵方法,对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度,不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明,锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下,长锥形长度能提高饱和增益,降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响,以实现结构优化 。 相似文献
14.
文章简要地介绍了InGaAs/InP PIN PD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。 相似文献
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18.
我们在双模轮胎硫化机结构的优化设计中,提出了一种ANSYS与导重准则相结合的优化方法。该方法收敛快,一般只需约5至7次优化迭代计算即可得到十分显著的优化效果,大大提高了优化效率与设计质量。 相似文献
19.
用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0~10%HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120~300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)~1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6%HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。 相似文献
20.
非均相成核中间相炭微球的形成过程及其结构演变 总被引:15,自引:3,他引:12
以含有喹啉不溶物的煤焦油沥青为原料,在410℃、不同反应时间下获得一系列中间相炭微球(MCMB)和小于0.5μm的碳质颗粒(SCP)。通过对中间相沥青的软化点、族组成和MCMB、SCP的形貌及MCMB断面结构的分析,认为非均相成核MCMB的形成和生长过程不同于均相成核的融并生长过程,而是SCP碳质颗粒的构筑过程,我们称之为“球形基本单元构筑”过程。在MCMB生长过程中,体系的黏度对SCP的形成和MCMB的生长起着重要的作用。非均相成核MCMB的内部结构不是三种模型结构(“地球仪”型、“洋葱”型和“同心圆”型)中的任一种,而是炭层具有收缩点的复杂结构,并且球体的结构不具有“继承性”,即随着反应时间的延长而不断发生变化和调整。MCMB内部分子在球体生长过程中的主要变化趋势是分子的不断缩合长大,而不是分子片层的平行趋向。 相似文献