基于钉板分布稀疏变分自编码器的异常检测算法研究

异常检测由于其广泛的应用一直是数据挖掘中一个重要的研究分支,它有助于研究人员获得重要的信息进而对数据做出更好的决策。提出了一种基于钉板分布稀疏变分自编码器的异常检测模型。首先,使用离散-连续混合模型钉板分布作为变分自编码器的先验,模拟隐变量所在空间的稀疏性,得到数据特征的稀疏表示;其次,以所提出的自编码器构建深度支持向量网络,对特征空间进行压缩,并采用最优超球体区分正常数据和异常数据;再次,以数据特征和超球体中心之间的欧氏距离完成异常检测;最后,在基准数据集MNIST （modifiednational institute of standards and technology database）和Fashion-MNIST上的实验评估表明,与现存的异常检测算法相比,本文所提出的算法具有更好的检测效果。     

自还原体系银导电墨水的制备与低温印制导电图形的研究

总结了开发一种简便快捷的可印制在挠性基板上于低温条件实现烧结形成高导电性线路的自还原型银导电墨水的制备方法。该导电墨水通过混合二乙醇胺溶液和银氨溶液制备得到。印制在塑料基材上后,在75℃下固化形成导电线路。这是因为在碱性环境与高于50℃的温度下,二乙醇胺可分解生成甲醛并自发地与银氨溶液发生反应。随后还原出银原子并让其吸附在基材上形成银薄膜。用该方法印制得到的银线其导电率可达到金属银导电率的20％,通过继续改进可应用于各种印制电子技术中。     

高热负荷激光介质热应力场的分析与优化研究

研究了高热负荷板状激光介质在抽运面采用常规冷却技术时,换热面积较小的上下侧面的换热强度对激光介质最高温度及最大应力的影响情况,并对热应力场进行了优化研究。结果表明,任意抽运功率下,介质的最高温度及最大应力均随侧面换热系数的变化而变化,并存在最优换热系数。与侧面采用常规冷却手段时相比,采用最优换热系数时介质的最大应力降幅高达36%。另外,对介质上下侧面进行温度控制,也可达到与控制换热系数相同的效果。     

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型

本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。     

应用于红外光学中的金刚石薄膜

综述了金刚石薄膜作为红外窗口材料的最新进展,讨论了目前存在的问题和未来的发展     

深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。     

电流控制LPE生长In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－Y）

用电流控制液相外延（ＣＣＬＰＥ）方法首次在（１００）ＩｎＰ衬底上成功地生长出Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ（０．３０＜ｘ＜０．４７，０．７０＜ｙ＜０．９６）外延层，并对外延层特性进行了详细研究，提出在ＩｎＰ衬底上生长电外延层的机理，推导出生长动力学的理论模型，该模型与上述实验结果十分吻合。     

薄膜微型电源

介绍了新型的薄膜微型电源的工作原理、结构及制造工艺。     

高平均功率板条激光器非稳谐振腔的研究

从高平均功率板条激光器的特性出发.讨论了非轴对称非稳谐振腔的结构及其主要特点,从理论与实验两方面得出有关结论,最后给出理想的实验结果.     

混合MIC电路的制作质量要素

随着微波技术的发展，混合微波集成越来越受到人们的重视。介绍了制造混合ＭＩＣ电路的制作质量要素，即工艺控制难点所在。文章从厚膜，薄膜，微波印制，微组装以及表面组装五个大的方面进行了阐述。