一种应用于无线监控网的图像压缩及重建法

采用降低分辨率的方式进一步地降低无线监控图像存储和传输的比特数,然后,在接收端采用垂直瞬间3场调节内插法进行处理,将图像还原,在不损害图像质量的情况下重建原始图像,使得接收端能够获得较清晰的监控图像。该方法比一般的线性内插法具有更好的图像质量,与自适应运动检测控制内插法、基于小波变换的自适应内插法等方法相比,方法更简便易行。     

光栅对压缩器在刻线不平行时的色散研究

针对光栅对压缩器刻线平行性失调会对压缩器色散特性造成严重影响这一问题,对刻线不平行的光栅对压缩器的衍射特性进行了分析,推导出了脉冲光束通过光栅对的光程。数值计算了2阶、3阶和4阶色散量,以及与光栅对严格平行相比的色散差。计算了输出脉冲的垂直谱位移,并将其作为刻线夹角的函数进行了分析。结果表明,存在刻线失调时,低刻线密度的光栅具有更好的优越性。     

基于灰度分布和字符紧密性特征的车牌定位方法

根据车牌区域的灰度分布特征,提出一种定位车牌区域的新方法.该方法先利用车牌区域灰度分布特征,对车辆图片进行粗定位并得到车牌上下边界;再根据车牌区域字符紧密性特征,利用垂直投影方法初步得到车牌的左右边界,最后根据字符宽度和间距进一步修正车牌的左右边界.经实验证明,该方法具有在复杂背景下适应性好、抗干扰、实时性好、定位精确等特点.     

垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究

在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min.用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW.     

一种用于CPT磁力仪的激光调制信号设计

CPT磁力仪是一种用于微弱磁场测量的新型高灵敏度原子光学磁力仪,针对CPT磁力仪垂直腔面发射激光器电流调制需要产生低相位噪声调制信号,提出了一种基于锁相环频率合成器的方案。该方案从CPT磁力仪的基本原理出发,分析了CPT磁力仪对调制信号的频率要求,根据锁相环频率合成基本原理,采用锁相环仿真软件ADIsimPLL完成了频率合成器中关键模块参数的确定,产生了高精度、低相噪以及杂散性好的3.4 GHz频率信号,并对系统性能进行了仿真分析。经仿真测试表明,锁相效果良好,性能可靠,可以满足CPT磁力仪的研制。     

提升立式混合机安全和可靠性的最新控制方法

在某大型立式混合机控制系统设计过程中,为提升立式混合机安全性和可靠性,首次设计和集成大量最新的控制方法和技术.控制技术包括药温防爆红外热成像技术、混合锅远程应急下降控制技术、转矩高速采集记录技术、操作追溯技术和校时技术等,同时,在设计过程中加强原有安全性功能设计,如联锁控制功能设计和防误操作功能设计等.结果表明:该设计大幅提升了立式混合机的安全性和可靠性,适宜于在我国已装备的数百台(套)立式混合机系统中做技术升级,具有较强的针对性和推广价值.     

装甲车辆用立式弹药舱的设计与动力学分析

为分析输送链条的动力学特性和弹药的稳定性,将所有链节及弹架两侧双排滚子简化为弹簧阻尼单元,采用多体系统动力学和运动弹性动力学理论,建立输送链条的完整动力学模型和弹药的稳定性模型。借助Matlab软件,对输送链条的整体动力学模型进行数值仿真,并求解弹药的稳定性模型。通过数值仿真结果可知：在不同驱动功率下输送链条的速度、加速度均窄幅波动;轨迹线的形状特征决定了弹药离心力的动力学响应和突变特性,离心力的突变特性对弹药运动法线方向稳定性具有较大的影响,而弹药在运动切线方向上的稳定性主要受自身惯性和输送链条的动力学参数影响。根据弹药上部的摆动位移响应可知,弹药在运动法线方向和切线方向具有较好的动态稳定性。采用试验测量方法,得到输送链条的切线方向加速度与弹架的法线方向加速度值,测量数据与仿真结果较为吻合。     

半导体器件纵向结构模拟工具

介绍了半导体器件纵向结构准三维模拟方法，包括版图信息提取，二维工艺模拟等功能。该模拟器可以根据版图信息和工艺参数自动显示器件上任意切线位置处断面图，稍加修改即可用于对Ｓｉ压力传感器等部分压电器件进行工艺模拟。     

激光主动照明在轻武器立靶中的应用研究

在轻武器CCD立靶时采用激光主动照明技术,可以有效提高探测器的信噪比及系统捕获率,是轻武器立靶技术的关键.文中在交汇测量原理的基础上,通过建立轻武器CCD立靶测量系统,选择出大功率列阵列半导体激光器,计算出子弹的光谱亮度.深入研究了激光照明,在轻武器测量中应用的关键技术.     

一种基于MEMS工艺的365 GHz硅微波导垂直转接结构

基于微电子机械系统(MEMS)工艺设计并制作了一种THz垂直转接结构,该结构采用6层硅片堆叠的硅微波导形式。理论分析计算了垂直转接结构的参数,并使用三维电磁场分析软件HFSS对该结构进行了模拟仿真。设计得到了中心频率为365 GHz、带宽为80 GHz、芯片尺寸为10 mm×7 mm×2.7 mm的THz垂直转接结构。给出了一套基于MEMS工艺的硅微波导的制作流程,制作了365 GHz垂直转接结构并对其进行测试。获得的THz垂直转接结构的回波损耗随频率变化的测试结果与仿真结果基本一致。采用MEMS工艺制作的硅微波导垂直转接结构具有精度高、一致性好、成本低的特点,满足THz器件的发展需求。