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21.
吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
22.
23.
24.
M型四能级原子与三模场相互作用系统的动力学特性 总被引:2,自引:2,他引:0
采用全量子理论,研究了M型四能级原子与三模场相互作用系统的动力学特性,通过数值计算,分析了光场失谐量、初始光子数和原子初始状态对原子布居概率和光子统计演化规律的影响. 相似文献
25.
Controllability of One Spin and Two Interacting Spins 总被引:1,自引:0,他引:1
Mathematics of Control, Signals, and Systems - ?We consider the problem of steering control for the systems of one spin ½ particle and two interacting spin ½ particles in an... 相似文献
26.
John Watrous 《Computational Complexity》2003,12(1-2):48-84
This paper studies the space-complexity of predicting the
long-term behavior of a class of stochastic processes based on evolutions
and measurements of quantum mechanical systems. These processes
generalize a wide range of both quantum and classical space-bounded
computations, including unbounded error computations given by machines
having algebraic number transition amplitudes or probabilities.
It is proved that any space s quantum stochastic process from this class
can be simulated probabilistically with unbounded error in space O(s),
and therefore deterministically in space O(s2). 相似文献
27.
叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用,并介绍了国内这一领域的进展。 相似文献
28.
29.
Dmitri E. Nikonov George I. Bourianoff Paolo A. Gargini 《Journal of Superconductivity and Novel Magnetism》2006,19(6):497-513
Quantum limits of power dissipation in spintronic computing are estimated. A computing element composed of a single electron
in a quantum dot is considered. Dynamics of its spin due to external magnetic field and interaction with adjacent dots are
described via the Bloch equations. Spin relaxation due to magnetic noise from various sources is described as coupling to
a reservoir. Resulting dissipation of energy is calculated and is shown to be much less than the thermal limit, ∼kT per bit,
if the rate of spin relaxation is much slower than the switching rate. Clues on how to engineer an energy efficient spintronic
device are provided. 相似文献
30.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献